埋入式字线结构的制作方法及其半导体存储器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113658917A(43)申请公布日2021.11.16(21)申请号202010396447.0(22)申请日2020.05.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人杨健(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438代理人袁礼君孙宝海(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称埋入式字线结构的制作方法及其半导体存储器(57)摘要本公开关于一种埋入式字线结构的制作方法及相关设备，属于半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底；向所述半导体衬底中注入目标离子，以在所述半导体衬底中形成注入区域；对包括所述注入区域的所述半导体衬底退火，以将所述注入区域转换成绝缘区域；在所述绝缘区域内形成字线沟槽；填充字线金属于所述字线沟槽中，以形成埋入式字线结构。通过本公开实施例提供的方案，能够避免对半导体衬底的损伤，且可以简化埋入式字线结构的制造工艺。CN113658917ACN113658917A权利要求书1/1页1.一种埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；向所述半导体衬底中注入目标离子，以在所述半导体衬底中形成注入区域；对包括所述注入区域的所述半导体衬底退火，以将所述注入区域转换成绝缘区域；在所述绝缘区域内形成字线沟槽；填充字线金属于所述字线沟槽中，以形成埋入式字线结构。2.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，在向所述半导体衬底中注入目标离子之前，所述方法还包括：在所述半导体衬底的上表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括用于部分暴露所述半导体衬底的上表面的第一开口。3.根据权利要求2所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，在所述绝缘区域内形成字线沟槽之前，所述方法还包括：在所述半导体衬底的上表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括用于部分暴露所述绝缘区域的上表面的第二开口，所述第二开口小于所述第一开口。4.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，在填充字线金属于所述字线沟槽中之前，所述方法还包括：在所述字线沟槽的底部及侧壁补充沉积栅介质层。5.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，所述目标离子包括含氧离子。6.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，注入所述目标离子的浓度在1E16至5E16cm-2之间。7.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，利用50至1000KeV的能量注入所述目标离子。8.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，所述目标离子的注入深度为30nm至300nm。9.根据权利要求1所述的埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，退火温度在850至1300摄氏度之间，退火时间在5至60秒之间。10.一种半导体存储器，其特征在于，包括采用上述权利要求1-9任一项所述方法制作的埋入式字线结构。2CN113658917A说明书1/7页埋入式字线结构的制作方法及其半导体存储器技术领域[0001]本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种埋入式字线结构的制作方法及其半导体存储器。背景技术[0002]DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器)，是较为常见的系统内存，其中每个存储单元(cell)包括一个晶体管和一个对应的电容，利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，为了避免电荷不足导致数据出错，需要周期性地刷新电容。[0003]为提升DRAM的集成度以加快对每个存储单元的操作速度，以及应对来自PC(PersonalComputer，个人计算机)、智能手机、平板等市场对DRAM的强劲需求，近年来发展出了埋入式字线结构(buriedwordline)的DRAM以满足上述需求。[0004]在埋入式字线结构的DRAM中，埋入式字线结构形成于半导体衬底内并与半导体衬底内的有源区相交，从而部分字线可以用作存储单元的晶体管的栅极，晶体管的源漏区形成于该栅极两侧的衬底中。[0005]但是，相关技术中，DRAM中的buriedwordline是通过干法蚀刻进行开槽，采用这种方法，会对半导体衬底的硅表面造成很大的损伤，从而导致DRAM中产生漏电流。[0006]需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。发明内容[0007]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种埋入式字线结构的制作方法及其半导体存储器，能够避免对半导体衬底