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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113652034A(43)申请公布日2021.11.16(21)申请号202110799972.1C08J5/18(2006.01)(22)申请日2021.07.15(71)申请人哈尔滨理工大学地址150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号(72)发明人王继华张明婷韩志东王春锋王永亮(74)专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211代理人裴闪闪(51)Int.Cl.C08L25/06(2006.01)C08L27/16(2006.01)C08K3/04(2006.01)C08K3/24(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种GNP/PS-BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法(57)摘要一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法。本发明属于介电材料及其制备领域。本发明的目的是解决现有聚合物基高介电常数复合材料损耗因子高、绝缘性能差的技术问题。本发明的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜由BT/PVDF复合材料和GNP/PS复合材料经粉碎、混炼和热压而成,所述GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜为具有微电容器结构的四元复合薄膜;其中BT/PVDF复合材料由BT和PVDF混炼而成,GNP/PS复合材料由GNP和PS混炼而成。方法:分别先预混形成GNP/PS复合材料和BT/PVDF复合材料,然后再将两种复合材料粉碎后混炼,再进行热压,冷却后得到GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜。本发明的复合材料内部具有微电容器结构,在保证介电常数显著提高的同时仍保持较高的击穿场强和优异的综合性能。CN113652034ACN113652034A权利要求书1/1页1.一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜由BT/PVDF复合材料和GNP/PS复合材料经粉碎、混炼和热压而成,所述GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜为具有微电容器结构的四元复合薄膜;其中BT/PVDF复合材料由BT和PVDF混炼而成,GNP/PS复合材料由GNP和PS混炼而成。2.根据权利要求1所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜,其特征在于,所述GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜中BT的质量分数为40%~60%,余量为GNP、PS和PVDF的质量之和。3.根据权利要求2所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜,其特征在于,所述GNP、PS和PVDF的质量之和中GNP的质量分数为0.05%~1.2%,余量为PS和PVDF的质量之和。4.根据权利要求3所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜,其特征在于,所述PS和PVDF的质量之和中PS与PVDF的质量比为(4~7):4。5.如权利要求1‑4任意一项权利要求所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法按下述步骤进行:步骤1:将PS和GNP进行混炼,得到GNP/PS复合材料;步骤2:将PVDF和BT进行混炼,得到BT/PVDF复合材料;步骤3:将GNP/PS复合材料和BT/PVDF复合材料分别进行粉碎,将粉碎后的两种复合材料混合,然后进行混炼,得到GNP/PS‑BT/PVDF共混材料;步骤4:将GNP/PS‑BT/PVDF共混材料进行预热,然后热压,冷却后得到GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜。6.根据权利要求5所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1、步骤2和步骤3中所述的混炼参数相同,混炼的温度均为185℃~195℃,混炼的时间均为20min~40min。7.根据权利要求6所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1、步骤2和步骤3中所述的混炼参数相同,混炼的温度均为190℃,混炼的时间均为30min。8.根据权利要求5所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4中所述预热的温度为180~190℃,预热的时间为15min~25min。9.根据权利要求5所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4中所述热压的温度为180~190℃,热压的压力为9MPa~11MPa,保压时间为8min~12min。10.根据权利要求9所述的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4中所述热压的温度为185℃,热压的压力为10MPa,保压时间为10min。2CN113652034A说明书1/5页一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法技术领域[0001