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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115064477A(43)申请公布日2022.09.16(21)申请号202210599908.3(22)申请日2022.05.27(71)申请人深圳市海目星激光智能装备股份有限公司地址518000广东省深圳市龙华区观澜街道君子布社区环观南路26号101(72)发明人彭信翰王国安陈秋行黄柏源文锡(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205专利代理师张英凤(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称供体基板、转移设备与供体基板制备方法(57)摘要本发明公开了一种供体基板、转移设备与供体基板制备方法,供体基板用于将转移材料转移至接收基板,包括沿厚度方向依次层叠设置的基层、吸收层与转移层,基层能够供激光穿过,吸收层能够吸收激光,以驱动转移层分离,其中,供体基板还包括保护层,保护层覆盖转移层背离吸收层的表面,保护层的熔点高于转移层的熔点。本发明通过保护层覆盖转移层,可以减少或者避免转移层在加热过程中的氧化,保证转移层与接收基板之间的连接强度,进而保证LED的焊接质量。CN115064477ACN115064477A权利要求书1/1页1.供体基板,用于将转移材料转移至接收基板,其特征在于,包括沿厚度方向依次层叠设置的基层、吸收层与转移层,所述基层能够供激光穿过,所述吸收层能够吸收激光,以驱动所述转移层分离,其中,所述供体基板还包括保护层,所述保护层覆盖所述转移层背离所述吸收层的表面,所述保护层的熔点高于转移层的熔点。2.根据权利要求1所述的供体基板,其特征在于,所述保护层的材质与所述接收基板的焊盘的材质相同。3.根据权利要求1所述的供体基板,其特征在于,所述保护层的材质为铜、金或者银。4.根据权利要求1所述的供体基板,其特征在于,所述保护层的材料为金属活泼性排列于所述转移层的材料之后的金属。5.根据权利要求1所述的供体基板,其特征在于,所述转移层为包括多层转移膜,多层所述转移膜沿厚度方向依次层叠设置。6.根据权利要求5所述的供体基板,其特征在于,所述转移层包括2至10层所述转移膜,每层所述转移膜的厚度为0.2至1微米。7.根据权利要求1所述的供体基板,其特征在于,所述转移层背向所述吸收层的表面设置有分隔槽,以分隔出多个转移部,所述吸收层能够驱动单个所述转移部分离。8.转移设备,其特征在于,包括:基座,用于放置接收基板;激光组件,连接于所述基座,用于生成激光;权利要求1至6中任一项所述的供体基板,连接于所述基座,所述基层朝向所述激光组件设置,所述转移层朝向所述基座设置;其中,所述激光与所述供体基板之间能够相对运动,以实现所述转移层的转移。9.转移设备,其特征在于,包括:基座,用于放置接收基板;激光组件,连接于所述基座,用于生成激光;权利要求7所述的供体基板,连接于所述基座,所述基层朝向所述激光组件设置,所述转移层朝向所述基座设置;其中,所述激光与所述供体基板之间能够相对运动,以实现所述转移层的转移,所述激光组件被设置为:所述激光在所述供体基板上形成的光斑在所述转移层上的投影,能够覆盖单个所述转移部,且在所述投影覆盖所述转移部时,所述投影与邻近的其他所述转移部均间隔设置。10.供体基板制备方法,其特征在于,包括以下步骤:准备附着有吸收层的基层;在所述吸收层背离所述基板的表面逐步附加多层转移膜,多层所述转移膜沿厚度方向层叠以形成转移层;在所述转移层背离所述吸收层的表面附加保护层。2CN115064477A说明书1/7页供体基板、转移设备与供体基板制备方法技术领域[0001]本发明涉及显示设备制造技术领域,尤其是涉及一种供体基板、转移设备与供体基板制备方法。背景技术[0002]随着技术的发展,MicroLED与MiniLED越来越多的应用于显示设备中,由于MicroLED与MiniLED上锡膏的颗粒直径极小(例如15微米以下),因此目前多数采用激光诱导正向转移工艺向LED供给锡膏,激光诱导正向转移工艺需要使用供体基板,供体基板包括吸收层与附着在吸收层上的锡膏层,当通过激光照射供体基板局部区域的吸收层时,吸收层会吸收激光能量产生气泡,同时锡膏层被加热而处于熔融状态,气泡膨胀迫使该区域内的锡膏剥离并被推向接收基板,在锡膏的加热过程中,熔融状态的锡膏很容易发生氧化,氧化状态的锡膏会削弱与接收基板之间的附着力,导致锡膏层与接收基板之间发生分离,造成LED连接不良或者连接失效。发明内容[0003]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种供体基板,能够减少或者避免转移层在加热过程中的氧化。[0004]本发明还提出了