一种沉积设备及薄膜电阻均匀性调试方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115354308A(43)申请公布日2022.11.18(21)申请号202210957510.2C23C16/34(2006.01)(22)申请日2022.08.10C23C28/04(2006.01)(71)申请人安徽光智科技有限公司地址239064安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号(72)发明人李兆营陈国雪梁靖李海涛(74)专利代理机构北京天盾知识产权代理有限公司11421专利代理师肖小龙(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)C23C14/08(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/54(2006.01)C23C14/58(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种沉积设备及薄膜电阻均匀性调试方法(57)摘要本发明属于气相沉积技术领域，公开了一种沉积设备，包括真空腔室、溅射电源、磁场装置、靶材和基座，磁场装置设置在真空腔室顶部，靶材设置在磁场装置底部，基座设置在真空腔室的底部，靶材和基座相对设置、并与溅射电源分别连接；靶材与基座之间的真空腔室内设置气管支撑杆和固定设置在气管支撑杆上的多个气管，气管的出气口正对基座，气管的进气口与气源连通，每根气管上均设置气体流量控制器。本发明沉积设备不需要开腔即可调整薄膜的电阻均匀性，避免了因为开腔造成的时间浪费和烧靶造成的靶材浪费。使用本发明沉积方法制备氧化钒薄膜，其电阻均匀性可实时调控，降低了生产过程中的工艺维护成本，提高了产品的良率。CN115354308ACN115354308A权利要求书1/1页1.一种沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包括真空腔室、溅射电源、磁场装置、靶材和基座，所述磁场装置设置在真空腔室顶部，所述靶材设置在磁场装置底部，所述基座设置在真空腔室的底部，所述靶材和基座相对设置、并与溅射电源分别连接；所述靶材与基座之间的真空腔室内设置气管支撑杆和固定设置在气管支撑杆上的多个气管，所述气管的出气口正对基座，所述气管的进气口与气源连通，每根气管上均设置气体流量控制器。2.如权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述气管支撑杆上设置多个供气管穿过、并与出气管外壁密封设置的出气孔；所述出气孔均匀分布在气管支撑杆上。3.如权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述气管的出气口穿过出气孔，其伸出长度不大于5mm。4.如权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述气管支撑杆水平横置在真空腔室内。5.如权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述气管支撑杆为十字形结构。6.如权利要求5所述的沉积设备，其特征在于，所述气管支撑杆为十字形长条片，所述长条片的端部固定在真空腔室的内壁，所述真空腔室的侧壁设置供气管穿过的通孔，所述气管从通孔伸入、从出气孔伸出。7.如权利要求5所述的沉积设备，其特征在于，所述气管支撑杆为十字形空心管，所述空心管的端部贯穿真空腔室的侧壁，所述空心管的端部与真空腔室的内壁密封设置，所述出气孔设置在空心管底部，所述气管从空心管的端部伸入、从出气孔伸出。8.如权利要求5所述的沉积设备，其特征在于，所述气体支撑杆上设置9个出气孔，一个出气孔设置在十字形结构的中心，十字形结构的四端的气体支撑杆上分别均匀设置两个出气孔。9.如权利要求8所述的沉积设备，其特征在于，气体支撑杆上相邻出气孔之间间隔4cm，所述出气孔的孔径为6~8mm，气管的外径为6~8mm，气管的内径为2~6mm。10.一种薄膜电阻均匀性调试方法，使用权利要求1~9任一项所述的沉积设备，其特征在于，包括如下步骤：（1）准备待镀膜基底；（2）采用PECVD方式在基底表面上镀氮化硅衬底层；（3）采用磁控溅射技术制备氧化钒薄膜；（4）对氧化钒薄膜进行电阻测试，确认其电阻分布图；（5）根据电阻分布图通过MFC来调节氧气在晶圆表面的分布，表面电阻高的位置降低对应位置气管的气体流量，表面电阻低的位置加大气体流量，在调节气体量流量时，调节前后所有气管的总流量保持不变；（6）重复步骤（1）~（3），并测试氧化钒薄膜的电阻均匀性，至调试合格为止。2CN115354308A说明书1/4页一种沉积设备及薄膜电阻均匀性调试方法技术领域[0001]本发明属于气相沉积技术领域，涉及一种沉积设备及薄膜电阻均匀性调试方法，更具体的，涉及一种改善氧化钒电阻均匀性的沉积设备及其调试方法。背景技术[0002]红外探测器在吸收红外能量后会产生温度变化，温度的变化引起热敏电阻的阻值变化，将电信号的变化转化为图像信息，即可获得测试对象的温度分布图。氧化钒具有高的电阻温度系数，被广泛应用于红外探测器的热敏电阻层。但是由于钒的氧化物多达13种不同的物相，各物相的性能相差很大且任何一种相的稳定范围又非常窄。因此，制备