LDMOS器件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954385A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211511676.8(22)申请日2022.11.29(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人钱园园陈天肖莉王黎陈华伦(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师崔莹(51)Int.Cl.H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称LDMOS器件及其制备方法(57)摘要本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中器件包括：衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；以及位于其中一侧的所述第一侧墙侧的第二侧墙。本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧引入第二侧墙，使得第一侧墙和第二侧墙构成双侧墙结构，完全兼容现有的CMOS工艺，使低压LDMOS器件更容易和CMOS器件整合，降低了制造成本，提高了LDMOS器件的可靠性。进一步的，本申请引入包含第一氮化硅层的第二侧墙，可以起到捕获电荷的作用，从而可以增加对栅氧的保护，减少了制程中PID对栅氧的损伤，使得器件的可靠性进一步得到提升。CN115954385ACN115954385A权利要求书1/2页1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二侧墙包括：第一氮化硅层和第一氧化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述第一侧墙以及所述第一侧墙侧的部分所述衬底表面，所述第一氧化硅层覆盖部分所述第一氮化硅层。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一侧墙包括：第二氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构的侧壁和部分所述衬底表面，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层。6.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。7.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上的步骤包括：形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构、所述第一侧墙和部分所述衬底表面；形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述第一氮化硅层；形成图案化的光刻胶层；根据图案化的光刻胶层，去除所述栅极结构上、一侧所述第一侧墙上以及一侧所述第一侧墙侧的衬底上的所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层，保留另一侧所述第一侧墙上以及另一侧所述第一侧墙侧的衬底上的所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层；去除另一侧所述第一侧墙上以及另一侧所述第一侧墙侧的衬底上的部分所述第一氧化硅层、部分所述第一氮化硅层以得到所述第二侧墙。8.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为9.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为10.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上的步骤包括：形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构和部分所述衬底表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层；2CN115954385A权利要求书2/2页形成第三氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；去除所述栅极结构上以及远离所述栅极结构的部分所述衬底上的第三氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，保留靠近所述栅极结构侧壁的第三氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层以得到所述第一侧墙。3CN115954385A说明书1/5页LDMOS器件及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法。背景技术[0002]在智能功率集成电路设计中，开发者将许多高速的CMOS器件和低导通电阻的DMOS器件集成到一颗芯片中，特别是双扩散结构的LDMOS(LaterallyDiffusedMe