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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113938151A(43)申请公布日2022.01.14(21)申请号202111038510.4(22)申请日2021.09.06(71)申请人上海顺久电子科技有限公司地址201203上海市浦东新区华佗路68号创业源北区7号楼2层顺久电子(72)发明人耿彦(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人王菲菲(51)Int.Cl.H04B1/16(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图5页(54)发明名称一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片(57)摘要本发明公开了一种应用于IO接收器的接收电路、IO接收器和芯片,用以解决IO接收器对输入电压进行限高处理时,会造成相关接口协议不匹配,产品适用性差的问题。本发明当IO电源电压不在预设范围内时,逻辑调整电路在偏置电压、IO电源电压、第一控制电压和第二控制电压的控制下,输出等于初级输入端口电压的次级输入端口电压,接收子电路输入次级输入端口电压,并在偏置电压和IO电源电压的控制下,输出目标电压。由于IO电源电压不在预设范围内,逻辑调整电路对初级输入端口电压进行逻辑调整后,输出的次级输入端口电压等于初级输入端口电压,从而可以不损失高压电源下的输入逻辑高的电平裕度,匹配相关接口协议,提高产品适用性。CN113938151ACN113938151A权利要求书1/3页1.一种应用于输入输出IO接收器的接收电路,其特征在于,包括:逻辑调整电路和接收子电路;所述逻辑调整电路,用于当IO电源电压不在预设范围内时,输入初级输入端口电压,并在所述接收子电路的偏置电压、IO电源电压、第一控制电压和第二控制电压的控制下,输出的次级输入端口电压等于所述初级输入端口电压,其中,所述第一控制电压为与所述IO电源电压相关的电压,所述第二控制电压为所述初级输入端口电压和所述IO电源电压中的较高电压;所述接收子电路,用于输入所述次级输入端口电压,并在所述偏置电压和所述IO电源电压的控制下,输出目标电压。2.如权利要求1所述的接收电路,其特征在于,还包括控制电路;所述控制电路,用于控制所述第二控制电压为所述初级输入端口电压和所述IO电源电压中的较高电压,当所述IO电源电压不在所述预设范围内时,控制所述第一控制电压为与所述IO电源电压相关的电压;所述控制电路还用于:当所述IO电源电压在所述预设范围内时,控制所述第一控制电压随所述初级输入端口电压翻转;所述逻辑调整电路还用于:输入所述初级输入端口电压,并在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下,输出的次级输入端口电压的逻辑高电平小于所述IO电源电压。3.如权利要求1所述的接收电路,其特征在于,所述逻辑调整电路包括逻辑电路和调整电路;所述逻辑电路,用于在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下,输出第一逻辑电压和第二逻辑电压;所述调整电路,用于在所述偏置电压、所述IO电源电压、所述第二控制电压、所述第一逻辑电压和所述第二逻辑电压的控制下,输出所述次级输入端口电压。4.如权利要求3所述的接收电路,其特征在于,所述偏置电压包括NMOS管偏置电压和PMOS管偏置电压;所述逻辑电路包括第一逻辑电路和第二逻辑电路;所述第一逻辑电路,用于在所述NMOS管偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下,输出所述第一逻辑电压;所述第二逻辑电路,用于在所述NMOS管偏置电压、所述PMOS管偏置电压、所述IO电源电压、所述第一控制电压和所述第二控制电压的控制下,输出所述第二逻辑电压。5.如权利要求4所述的接收电路,其特征在于,所述第一逻辑电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管;所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的源极和所述第一NMOS管的源极连接,用于输入所述NMOS管偏置电压,所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极连接,用于输入所述第一控制电压,所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极连接,用于输出所述第一逻辑电压,所述第一PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的衬底连接,用于输入所述第二控制电压;2CN113938151A权利要求书2/3页所述第一NMOS管的栅极用于输入所述IO电源电压,所述第一NMOS管的衬底与接地端连接。6.如权利要求4所述的接收电路,其特征在于,所述第二逻辑电路包括第一反相器、第二NMOS管、第三NMOS管和第三PMOS管;所述第一反相器的输入端用于输入所述PMOS管偏置电压,所述第一反相器的电源端与所述第二NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极连接,用于输入