一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统及其镀膜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114086133A(43)申请公布日2022.02.25(21)申请号202011499618.9C23C28/00(2006.01)(22)申请日2020.12.17(71)申请人福建金石能源有限公司地址362200福建省泉州市晋江市经济开发区（五里园）泉源路17号(72)发明人林朝晖张超华唐泽国王树林(74)专利代理机构北京中济纬天专利代理有限公司11429代理人张磊(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/02(2006.01)C23C14/56(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/54(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统及其镀膜方法(57)摘要本发明涉及一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，它包括进片室、设于进片室出料端且依次连接的一个以上原子层沉积室、设于原子层沉积室出料端的进片隔离室、设于进片隔离室出料端的进片缓冲室、设于进片缓冲室出料端且依次连接的一个以上工艺镀膜室、设于工艺镀膜室出料端的出片缓冲室、设于出片缓冲室出料端的出片隔离室以及设于出片隔离室出料端的出片室。本发明的目的在于提供一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其通过将原子层沉积设备和磁控溅射设备结合在一起，应用于原子层沉积‑磁控溅射镀膜连续进行的工艺中，大幅简化设备结构、缩短工艺流程，大幅降低设备成本，提高生产效率与良率，更加适合大规模生产。CN114086133ACN114086133A权利要求书1/2页1.一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：它包括进片室、设于进片室出料端且依次连接的一个以上原子层沉积室、设于原子层沉积室出料端的进片隔离室、设于进片隔离室出料端的进片缓冲室、设于进片缓冲室出料端且依次连接的一个以上工艺镀膜室、设于工艺镀膜室出料端的出片缓冲室、设于出片缓冲室出料端的出片隔离室以及设于出片隔离室出料端的出片室。2.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述原子层沉积室设有2至10个；每个原子层沉积室设有前驱体供应设备及加热设备；所述前驱体供应设备与相应前驱体源连接沉积Al2O3、SnO2、ZnO、SiO2、HfO2、Ga2O3、Ta2O3、TiOx、NiOx、MoOx、VOx、WOx、In2O3:H、IZO、ZnO:B或者In2O3:(Al、Sn或Ga)材料。3.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述工艺镀膜室设有1至6个；每个工艺镀膜室内设有若干个旋转靶座或平面靶座及相应的电源、冷却水设备、气体控制设备；所述旋转靶座或平面靶座安装ITO、IZO或IWO材料的靶材以沉积相应材料的薄膜。4.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述进片室、原子层沉积室、出片室及进片隔离室设有用于抽真空的组合机械泵；所述进片缓冲室、工艺镀膜室、出片缓冲室及出片隔离室设有作为前级泵的组合机械泵以及作为主泵的分子泵、钛升华泵或离子泵；所述进片室、原子层沉积室、进片隔离室、进片缓冲室、工艺镀膜室、出片缓冲室、出片隔离室以及出片室分别设有用来监测腔室内真空度的真空计。5.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述进片室、原子层沉积室、进片隔离室、进片缓冲室、工艺镀膜室、出片缓冲室、出片隔离室、出片室分别设有能相互联动传输的传输机构。6.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述进片隔离室与进片缓冲室设有加热器；所述加热器为红外加热器或电阻丝加热器。7.根据权利要求1所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述进片室进片端、进片室与原子层沉积室之间、原子层沉积室与进片隔离室之间、进片隔离室与进片缓冲室之间、出片缓冲室与出片隔离室之间、出片隔离室与出片室之间以及出片室出料端分别设有门阀。8.根据权利要求1‑7任意一项所述的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统，其特征在于：所述进片室与原子层沉积室之间设有缓冲隔离室。9.一种用于1‑8任意一项所述系统的集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜方法，其特征在于：它包括如下步骤S1、开启镀膜系统；S2、载板进入进片室：进片室破空，打开进片室门阀，装载基材的载板传动进入进片室，之后关闭进片室门阀，进行抽真空处理；S3、原子层沉积：进片室真空度小于100Pa后，打开进片室与原子层沉积室之间的门阀，载板传动进入原子层沉积室，之后关闭进片室与原子层沉积室之间的门阀；载板按设定速度传送至最后一个原子沉积室；S4、载板进入进片隔离室