一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114170153A(43)申请公布日2022.03.11(21)申请号202111384784.9G06K9/62(2022.01)(22)申请日2021.11.20(71)申请人上海微电子装备（集团）股份有限公司地址200000上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号申请人深圳鲲云信息科技有限公司(72)发明人周许超张凯(74)专利代理机构深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙)44319代理人余薇(51)Int.Cl.G06T7/00(2017.01)G06V10/25(2022.01)G06V10/80(2022.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质(57)摘要本发明实施例提供一种晶圆缺陷检测方法，通过获取待检测晶圆的待检测图像；在所述待检测图像中提取出候选区域图像；对所述候选区域图像分别进行第一特征提取处理和第二特征提取处理得到第一特征和第二特征；将所述第一特征和第二特征进行融合，得到融合特征；基于所述融合特征，预测所述待检测晶圆的是否存在缺陷，能够快速提取目标区域，降低细化缺陷检测的计算量，提高检测速度。CN114170153ACN114170153A权利要求书1/2页1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取待检测晶圆的待检测图像；在所述待检测图像中提取出候选区域图像；对所述候选区域图像分别进行第一特征提取处理和第二特征提取处理得到第一特征和第二特征；将所述第一特征和第二特征进行融合，得到融合特征；基于所述融合特征，预测所述待检测晶圆是否存在缺陷。2.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述在所述待检测图像中提取出候选区域图像，包括:对所述待检测图像进行预处理，得到预处理图像；通过模板比对算法对所述待检测图像进行候选区域提取，提取出所述候选区域图像。3.如权利要求2所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述待检测图像进行预处理，得到预处理图像，包括：对所述待检测图像进行背景分离，得到前景图像；对所述前景图像进行光照校正，得到光照校正图像；对所述第一校正图像进行空间校正，得到预处理图像。4.如权利要求3所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述第一校正图像进行空间校正，得到预处理图像，包括:预测所述光照校正图像中晶圆的基准点和特征点；基于所述基准点，通过仿射变换将所述光照校正图像中晶圆的特征点对齐到预定义模板上的特征点，得到预处理图像。5.如权利要求4所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述候选区域图像进行第一特征提取处理，得到第一特征，包括：将所述候选区域图像输入到预训练的第一特征提取模型中进行第一特征提取处理，得到第一特征。6.如权利要求5所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述候选区域图像进行第二特征提取处理，得到第二特征，包括：将所述候选区域图像进行裁剪和扩大后输入到预训练的第二特征提取模型中进行第二特征提取处理，得到第二特征。7.如权利要求6所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，将基于所述融合特征，预测所述待检测晶圆是否存在缺陷，包括：对所述融合特征进行非极大值抵制，保留可信度最高的检测框结果；通过所述可信度最高的检测框结果判断所述待检测晶圆的是否存在缺陷。8.一种晶圆缺陷检测装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块，用于获取待检测晶圆的待检测图像；提取模块，用于在所述待检测图像中提取出候选区域图像；处理模块，用于对所述候选区域图像分别进行第一特征提取处理和第二特征提取处理，得到第一特征和第二特征；融合模块，用于将所述第一特征和所述第二特征进行融合，得到融合特征；2CN114170153A权利要求书2/2页预测模块，用于基于所述融合特征，预测所述待检测晶圆的是否勋在缺陷。9.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的晶圆缺陷检测方法中的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的晶圆缺陷检测方法中的步骤。3CN114170153A说明书1/9页一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术[0002]随着半导体行业的高速发展，集成电路芯片单位面积上集成的晶体管数量每十八个月就翻一倍，意味着晶体管的储存随之减少一倍。芯片集成度越高意味着芯片上进踢馆的特征尺寸越小，对制造精度和新材料都提