掩膜版图修正方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114200766A(43)申请公布日2022.03.18(21)申请号202010912169.X(22)申请日2020.09.02(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人贺婷王杰覃柳莎王占雨张迎春(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人徐文欣(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书3页说明书19页附图17页(54)发明名称掩膜版图修正方法(57)摘要一种掩膜版图修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。从而，能够有效提升形成的半导体结构的性能。CN114200766ACN114200766A权利要求书1/3页1.一种掩膜版图修正方法，其特征在于，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括沿第一方向排布的若干初始第一目标图形和若干第二目标图形，并且在第二方向上，所述第二目标图形的长度小于初始第一目标图形的长度，所述第一方向和第二方向相互垂直；在所述初始目标版图中获取若干待处理图形、以及与每个待处理图形对应的若干参考图形，所述待处理图形为与第二目标图形相邻的初始第一目标图形，所述参考图形为与所述待处理图形相邻的第二目标图形；根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且对应的对应区域；根据与每个参考图形所对应的对应区域，对所述待处理图形进行补偿处理，获取目标版图。2.如权利要求1所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，根据每个参考图形，在所述待处理图形上获取若干相邻且与所述参考图形对应的对应区域的方法包括：对所述待处理图形进行区域划分，获取m个相邻的初始区域，m为大于或等于1的自然数；提供n个预设范围，且不同的预设范围之间不重合，n为大于或等于1的自然数；获取第k个初始区域相对于任一参考图形的定位参数Lk；当所述定位参数Lk在第i个预设范围内时，所述第k个初始区域为所述参考图形对应的第i对应区域的至少一部分，k和i均为自然数，且1≤k≤m，1≤i≤n。3.如权利要求2所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，在第二方向上，所述待处理图形的轮廓包括相对的第一边和第二边；若干所述参考图形包括与所述第一边相邻的第一参考图形。4.如权利要求3所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分时，获取与第i1对应区域对应的补偿参数Ti，所述第i1对应区域为所述第一参考图形对应的第i对应区域；根据所述补偿参数Ti，对所述第k个初始区域的待处理图形进行补偿。5.如权利要求4所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数Ti包括：第一补偿参数Ai，所述第一补偿参数Ai用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形在第一方向上的线宽。6.如权利要求5所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述第一补偿参数Ai＝(Wi-Wipre)/2，所述Wi是第i1对应区域的未补偿处理线宽值，所述Wipre是第i1对应区域中的待处理图形在第一方向上的线宽。7.如权利要求5所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述补偿参数Ti还包括：第二补偿参数Bi，所述第二补偿参数Bi用于补偿所述第k个初始区域的待处理图形的中心在第一方向上的偏心尺寸。8.如权利要求7所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，所述第二补偿参数Bi＝(Si-Sipre)/2，所述Si是第i1对应区域的未补偿处理轮廓间距值，所述Sipre是第i1对应区域中的第二边、以及与第二边相邻的初始第一目标图形的轮廓在第一方向上的间距。9.如权利要求3所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，若干所述参考图形还包括与所述第二边相邻的第二参考图形。10.如权利要求9所述的掩膜版图修正方法，其特征在于，对所述待处理图形进行补偿处理的方法包括：当所述第k个初始区域为第i1对应区域的至少一部分，并且，所述第k个初始区域为第v2对应区域的至少一部分时，获取同时与第i1对应区域以及第v2对应区域对应的补偿参数Tiv，所述