蚀刻液组合物和显示装置用阵列基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107988598A(43)申请公布日2018.05.04(21)申请号201711262782.6(22)申请日2017.12.04(30)优先权数据10-2016-01643752016.12.05KR(71)申请人东友精细化工有限公司地址韩国全罗北道(72)发明人李恩远朴升煜田玹守梁承宰(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人钟晶钟海胜(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图2页(54)发明名称蚀刻液组合物和显示装置用阵列基板的制造方法(57)摘要本发明涉及蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制造方法和显示装置用阵列基板，更详细而言，提供在制造显示装置用阵列基板时，能够将金属膜一并蚀刻，具有蚀刻速度、锥角特性优异并且蚀刻多层膜时界面部的蚀刻轮廓优异的特性的金属膜的蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制造方法以及显示装置用阵列基板。该金属膜的蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物总重量，包含：过氧化氢5～25重量％、氟化合物0.01～1重量％、唑系化合物0.1～5重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、包含碱金属或碱土金属的磷酸盐0.001～5重量％、多元醇型表面活性剂0.01～5重量％、包含碱金属或碱土金属的硫酸盐0.1～5重量％、和余量的水，磷酸盐与硫酸盐的重量比为1:3～1:20。CN107988598ACN107988598A权利要求书1/2页1.一种金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：过氧化氢5～25重量％、氟化合物0.01～1重量％、唑系化合物0.1～5重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、包含碱金属或碱土金属的磷酸盐0.001～5重量％、多元醇型表面活性剂0.01～5重量％、包含碱金属或碱土金属的硫酸盐0.1～5重量％、和余量的水，所述磷酸盐与硫酸盐的重量比为1:3～1:20。2.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，所述氟化合物为选自由HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3和HBF4组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物为选自三唑系化合物、氨基四唑系化合物、咪唑系化合物、吲哚系化合物、嘌呤系化合物、吡唑系化合物、吡啶系化合物、嘧啶系化合物、吡咯系化合物、吡咯烷系化合物和吡咯啉系化合物中的一种以上。4.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸中的一种以上。5.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述包含碱金属或碱土金属的磷酸盐为选自磷酸二氢钠、磷酸二氢钾、磷酸氢二钠和磷酸氢二钾中的一种以上。6.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性剂为选自甘油、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇和聚乙二醇中的一种以上。7.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述包含碱金属或碱土金属的硫酸盐为选自硫酸钠、硫酸钾、硫酸氢钠和硫酸氢钾中的一种以上。8.根据权利要求1所述的金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜为铜系金属膜。9.根据权利要求8所述的金属膜的蚀刻液组合物，所述铜系金属膜为铜或铜合金的单层膜、或者为多层膜，所述多层膜包含选自由钼膜、钼合金膜、钛膜和钛合金膜组成的组中的一种以上的膜、以及选自铜膜和铜合金膜中的一种以上的膜。10.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅极配线的步骤、b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤、c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、及e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，所述a)步骤或d)步骤中的至少一个步骤包括在所述基板上层叠金属层的步骤、以及使用蚀刻液组合物进行蚀刻的步骤，所述蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含：过氧化氢5～25重量％、氟化合物0.01～2CN107988598A权利要求书2/2页1重量％、唑系化合物0.1～5重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、包含碱金属或碱土金属的磷酸盐0.001～5重量％、多元醇型表面活性剂0.01～5重量％、包含碱金属或碱土金属的硫酸盐0.1～5重量％、和余量的水，所述磷酸盐与硫酸盐的重量比为1:3～1:20。11.根据权利要求10所述的显示装置用阵列基板