晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013831A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202210808486.6(22)申请日2022.07.11(30)优先权数据1101392012021.10.22TW(71)申请人环球晶圆股份有限公司地址中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号(72)发明人温禅儒蔡佳琪吴翰宗(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师臧建明刘芳(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/205(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法(57)摘要一种晶圆治具，包括底壁及环状侧壁。底壁具有承载面，环状侧壁连接于底壁的周缘，环状侧壁包括至少两阶部。两阶部包括第一阶部及第二阶部。第一阶部连接于承载面与第二阶部之间，第一阶部相对于第二阶部向底壁的中心的方向突出。环状侧壁围绕中心。此外，一种晶圆结构及晶圆的加工方法亦被提及。本发明的晶圆治具、晶圆结构及晶圆的加工方法可避免晶圆形变及损坏且可解决晶圆与机台不兼容的问题。CN116013831ACN116013831A权利要求书1/2页1.一种晶圆治具，其特征在于，包括：底壁，具有承载面；以及环状侧壁，连接于所述底壁的周缘，其中所述环状侧壁包括至少两阶部，所述至少两阶部包括第一阶部及第二阶部，所述第一阶部连接于所述承载面与所述第二阶部之间，所述第一阶部相对于所述第二阶部向所述底壁的中心的方向突出，所述环状侧壁围绕所述中心。2.根据权利要求1所述的晶圆治具，其特征在于，所述环状侧壁在所述底壁上围绕出容纳空间，所述容纳空间包括第一子空间及第二子空间，所述第一子空间对应于所述第一阶部，所述第二子空间对应于所述第二阶部，所述第二子空间在平行于所述第一阶部向所述中心的突出方向的第一方向上的尺寸大于所述第一子空间在所述第一方向上的尺寸。3.根据权利要求2所述的晶圆治具，其特征在于，所述第一子空间在垂直于所述第一方向的第二方向上的尺寸小于所述晶圆的厚度，所述第一子空间及所述第二子空间在所述第二方向上的尺寸的和大于或等于所述晶圆的厚度。4.根据权利要求1所述的晶圆治具，其特征在于，所述底壁及所述环状侧壁的硬度小于所述晶圆的硬度。5.根据权利要求1所述的晶圆治具，其特征在于，所述承载面包括底面及斜面，所述斜面连接于所述底面与所述第一阶部之间且倾斜于所述底面。6.一种晶圆结构，其特征在于，包括：晶圆治具，包括：底壁，具有承载面；以及环状侧壁，连接于所述底壁的周缘，其中所述环状侧壁包括至少两阶部，所述至少两阶部包括第一阶部及第二阶部，所述第一阶部连接于所述承载面与所述第二阶部之间，所述第一阶部相对于所述第二阶部向所述底壁的中心的方向突出，所述环状侧壁围绕所述中心；以及晶圆，承载于所述承载面上，其中所述第一阶部的侧边及所述第二阶部的侧边朝向所述晶圆，所述晶圆的周缘接触所述第一阶部的所述侧边且与所述第二阶部的所述侧边具有间距。7.根据权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述环状侧壁在所述底壁上围绕出容纳空间，所述容纳空间包括第一子空间及第二子空间，所述第一子空间对应于所述第一阶部，所述第二子空间对应于所述第二阶部，所述第二子空间在平行于所述第一阶部向所述中心的突出方向的第一方向上的尺寸大于所述第一子空间在所述第一方向上的尺寸。8.根据权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一子空间在垂直于所述第一方向的第二方向上的尺寸小于所述晶圆的厚度，所述第一子空间及所述第二子空间在所述第二方向上的尺寸的和大于或等于所述晶圆的厚度。9.根据权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述底壁及所述环状侧壁的硬度小于所述晶圆的硬度。10.根据权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述承载面包括底面及斜面，所述斜面连接于所述底面与所述第一阶部之间且倾斜于所述底面。11.一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括：2CN116013831A权利要求书2/2页提供晶圆治具，其中所述晶圆治具包括底壁及环状侧壁，所述底壁具有承载面，所述环状侧壁包括至少两阶部，所述至少两阶部包括第一阶部及第二阶部，所述第一阶部连接于所述承载面与所述第二阶部之间，所述第一阶部相对于所述第二阶部向所述底壁的中心突伸出，所述环状侧壁围绕所述中心；将晶圆结合于所述承载面，其中所述晶圆的周缘接触所述第一阶部且与所述第二阶部具有间距；对所述晶圆进行磊晶；以及将所述晶圆分离于所述晶圆治具。12.根据权利要求11所述的晶圆的加工方法，其特征在于，将所述晶圆结合于所述承载面的步骤包括借由热压合制程或氧化层接合制程将所述晶圆结合于所述承载面。13.根据权利要求11所述的晶圆的加工方法，其特征在于，