一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114613565A(43)申请公布日2022.06.10(21)申请号202210362294.7(22)申请日2022.04.07(71)申请人扬州领创新材料科技有限公司地址225200江苏省扬州市江都区文昌东路1449号(72)发明人汤凤林(74)专利代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101专利代理师乔恒婷(51)Int.Cl.H01F1/147(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法(57)摘要本发明公开了一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法，通过选用粒度小于400目的气雾化铁硅铝磁粉，用磷酸和凹凸棒土粉末对铁硅铝粉末颗粒进行绝缘包覆处理，制备出了超低损耗60μ铁硅铝软磁粉心，具备优良的软磁性能，在100Oe条件下的粉心直流偏置性能高于57％，在50kHz、100mT条件下的体积损耗Pcv低于50mW/cm3。CN114613565ACN114613565A权利要求书1/1页1.一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：向气雾化铁硅铝磁粉中加入磷酸、凹凸棒土粉末和水，常温下搅拌均匀，获得混合浆料；步骤2：将所得混合浆料加热并保温搅拌；保温结束后，将干燥的粉末过筛得到绝缘包覆粉末；步骤3：向步骤2获得的绝缘包覆粉末加入粘结剂和脱模剂，混合均匀后，得到待成型的磁粉；步骤4：用压机将步骤3制备的待成型磁粉压制成粉心毛坯件；步骤5：在惰性气体保护下，将步骤4压制成型的粉心毛坯件在640℃～680℃进行保温，得到半成品磁粉心；步骤6：向步骤5的半成品磁粉心表面喷涂一层绝缘、耐高温的环氧树脂涂层，获得金属软磁粉心成品。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述气雾化铁硅铝磁粉的原粉粒度≤400目，其成分按质量百分比构成为：Si8.0％～11.0％，Al4.0％～8.0％，余量为Fe；所述凹凸棒土粉末的粒度≤1000目。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中，磷酸的添加质量为气雾化铁硅铝磁粉质量的0.5％～1.5％，凹凸棒土粉末的添加质量为气雾化铁硅铝磁粉质量的1.0％～3.5％，水的添加质量为气雾化铁硅铝磁粉质量的10.0％～20.0％。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2中，加热至60℃～90℃，保温搅拌30分钟～90分钟。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中，粘结剂的添加质量是气雾化铁硅铝磁粉质量的0.3％～0.7％；脱模剂的添加质量是气雾化铁硅铝磁粉质量的0.4％～0.8％。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述粘结剂选自硅氧烷树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的一种或多种；所述脱模剂选自硬脂酸锌、硬脂酸钙、滑石粉、云母粉中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤4中，压制压强为2200MPa～2800MPa。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤5中，保温时间为90分钟～150分钟。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：制备的超低损耗铁硅铝软磁粉心的有效磁导率为60。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述铁硅铝软磁粉心在100Oe条件下的粉心直流偏置性能高于57％，并且在50kHz、100mT条件下的体积损耗Pcv低于50mW/cm3。2CN114613565A说明书1/5页一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法技术领域[0001]本发明属于软磁材料技术领域，尤其涉及一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法。背景技术[0002]金属软磁粉心凭借高电阻率、低矫顽力、低损耗等优点，广泛应用于各种滤波电感器、差模电感、电抗器等器件中。随着电力电子器件高频化的发展趋势，当工作频率升高时，软磁粉心损耗也会随之升高，尤其是材料的涡流损耗会大幅提升。所以，当前软磁粉心研究的一个重点方向就是低损耗软磁粉心的研究和产品开发。[0003]专利CN107424708B中公布了一种超低铁损耗铁硅铝磁心的制备方法，使用过筛后的‑200目气雾化铁硅铝粉末，采用水玻璃溶液、云母粉等对金属磁粉表面进行绝缘包覆，制备出的磁导率为60的粉心在100Oe条件下的直流偏置特性为57％，在50kHz、100mT条件下的体积损耗为66mW/cm3。专利CN109461558A中公开了一种低损耗铁硅铝磁粉心复合包覆方法，采用磷酸对铁硅铝粉末表面进行钝化处理，在采用MnZn铁氧体对铁硅铝粉末表面进行绝缘包覆，制备出的铁硅铝软磁粉心磁导率为139～141μ，在50kHz、100mT条件下的体积损耗为161～190mW/cm3。这种方法制备出