集成电路结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113948470A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202110557051.4(22)申请日2021.05.21(30)优先权数据63/084,9932020.09.29US17/211,4552021.03.24US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人熊德智吴俊德王鵬林焕哲(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258代理人朱亦林(51)Int.Cl.H01L21/8238(2006.01)H01L27/092(2006.01)权利要求书1页说明书22页附图70页(54)发明名称集成电路结构及其制造方法(57)摘要本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在形成电介质帽盖之后，在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。掺杂电介质帽盖的顶部以在电介质帽盖中形成掺杂区域。在掺杂电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层和层间电介质(ILD)层。形成过孔开口以延伸穿过ILD层和蚀刻停止层以暴露源极/漏极接触件。在过孔开口中填充源极/漏极过孔。CN113948470ACN113948470A权利要求书1/1页1.一种形成半导体器件的方法，包括：在栅极结构之上沉积电介质帽盖；在形成所述电介质帽盖之后，在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；对所述电介质帽盖的顶部进行掺杂，以在所述电介质帽盖中形成掺杂区域；在对所述电介质帽盖的顶部进行掺杂之后，在所述电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层和层间电介质(ILD)层；形成过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层以暴露所述源极/漏极接触件；以及在所述过孔开口中填充源极/漏极过孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质帽盖的顶部掺杂有氧离子。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质帽盖的顶部掺杂有锗、氩、氙和/或硼。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质帽盖的顶部是在形成所述源极/漏极接触件之后被掺杂的。5.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述电介质帽盖的掺杂区域进行退火。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂区域的掺杂剂深度在大约1埃至大约50埃的范围内。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述过孔开口使得所述过孔开口进一步暴露所述电介质帽盖的掺杂区域。8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述过孔开口包括：执行第一蚀刻工艺以形成所述过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述ILD层并暴露所述蚀刻停止层的顶表面；以及执行第二蚀刻工艺以加深所述过孔开口，使得所述过孔开口延伸穿过所述蚀刻停止层。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；执行离子注入工艺，以在所述源极/漏极接触件的顶部中形成掺杂区域；在执行所述离子注入工艺之后，沉积层间电介质(ILD)层，该层间电介质层覆盖所述源极/漏极接触件的掺杂区域；蚀刻所述ILD层，以形成暴露所述源极/漏极接触件的过孔开口；以及在所述过孔开口中填充源极/漏极过孔。10.一种半导体器件，包括：栅极结构；电介质帽盖，位于所述栅极结构之上，并且包括掺杂区域以及位于所述栅极结构与所述掺杂区域之间的未掺杂区域；源极/漏极接触件，与所述栅极结构相邻，并且与所述电介质帽盖的掺杂区域的侧壁接触；层间电介质(ILD)层，位于所述电介质帽盖的掺杂区域之上并且位于所述源极/漏极接触件之上；以及源极/漏极过孔，在所述ILD层中并且电连接到所述源极/漏极接触件。2CN113948470A说明书1/22页集成电路结构及其制造方法技术领域[0001]本公开总体涉及集成电路结构及其制造方法。背景技术[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即使用制造工艺能够产生的最小组件(或线路))减小。该缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。发明内容[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在栅极结构之上沉积电介质帽盖；在形成所述电介质帽盖之后，在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；对所述电介质帽盖的顶部进行掺杂，以在所述电介质帽盖中形成掺杂区域；在对所述电介质帽盖的顶部进行掺杂之后，在所述电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层和层间电介质(ILD)层；形成过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层以暴露所述源极/漏极接触件；以及在所述过孔开口中填充源极/漏极过孔。[0004]根据本公开的另一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：