集成电路结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863343A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211265656.7(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司(22)申请日2022.08.2372002专利代理师张伟(30)优先权数据17/485,1902021.09.24US(51)Int.Cl.H01L27/088(2006.01)(62)分案原申请数据H01L23/528(2006.01)202211011927.62022.08.23H01L21/8234(2006.01)(71)申请人英特尔公司H01L21/768(2006.01)地址美国加利福尼亚(72)发明人M·昌德霍克E·V·卡尔波夫M·K·哈兰R·帕特尔C·H·华莱士G·辛格F·格瑟特莱恩E·韩U·阿兰L·P·古勒尔P·A·尼许斯权利要求书3页说明书20页附图19页(54)发明名称集成电路结构及其制造方法(57)摘要本公开内容涉及集成电路结构及其制造方法。描述了具有导电沟槽接触部抽头的有源栅极上方接触部(COAG)结构。在示例中，集成电路结构包括在衬底上方的多个栅极结构，每个栅极结构包括其上的栅极绝缘层。多个导电沟槽接触部结构与多个栅极结构交替，每个导电沟槽接触部结构包括其上的沟槽绝缘层。多个导电沟槽接触部结构中的一个包括穿过对应的沟槽绝缘层突出的导电抽头结构。层间电介质材料在沟槽绝缘层和栅极绝缘层上方。导电结构与多个导电沟槽接触部结构中的一个的导电抽头结构直接接触。CN115863343ACN115863343A权利要求书1/3页1.一种集成电路结构，包括：半导体鳍状物；所述半导体鳍状物之上的栅极结构；所述半导体鳍状物上位于所述栅极结构的第一侧处的第一源极或漏极结构；所述半导体鳍状物上位于所述栅极结构的第二侧处的第二源极或漏极结构，所述第二侧与所述第一侧相对；所述第一源极或漏极结构上的第一沟槽接触部结构，所述第一沟槽接触部结构具有在所述第一源极或漏极结构上方的第一高度；所述第二源极或漏极结构上的第二沟槽接触部结构，所述第二沟槽接触部结构具有在所述第二源极或漏极结构上方的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；所述栅极结构上的第一绝缘层；以及所述第一沟槽接触部结构上的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层的顶表面与所述第一绝缘层的顶表面处于同一水平，并且其中，所述第一绝缘层的所述顶表面与所述第二沟槽接触部结构的顶表面处于同一水平。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一源极或漏极结构是第一外延源极或漏极结构，并且所述第二源极或漏极结构是第二外延源极或漏极结构。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：耦合到所述第一沟槽接触部结构的导电沟槽接触部抽头，所述导电沟槽接触部抽头与所述第二绝缘层横向相邻并与所述第二绝缘层接触。4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述导电沟槽接触部抽头的顶表面与所述第二绝缘层的所述顶表面处于同一水平。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：横向位于所述第一沟槽接触部结构和所述栅极结构之间的栅极间隔体。6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述栅极间隔体与所述第一沟槽接触部结构和所述栅极结构接触。7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述栅极间隔体与所述第二绝缘层和所述栅极结构接触。8.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述栅极间隔体所具有的顶表面与所述第二绝缘层的所述顶表面处于同一水平。9.根据权利要求5所述的集成电路结构，还包括：横向位于所述第二沟槽接触部结构和所述栅极结构之间的第二栅极间隔体。10.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一沟槽接触部结构和所述第二沟槽接触部结构包括导电内衬和导电填充物。11.一种集成电路结构，包括：具有顶部的半导体鳍状物；所述半导体鳍状物之上的栅极结构；所述半导体鳍状物上位于所述栅极结构的第一侧处的第一源极或漏极结构；所述半导体鳍状物上位于所述栅极结构的第二侧处的第二源极或漏极结构，所述第二侧与所述第一侧相对；2CN115863343A权利要求书2/3页所述第一源极或漏极结构上的第一沟槽接触部结构，所述第一沟槽接触部结构在垂直地位于所述半导体鳍状物之上的第一位置处具有在所述半导体鳍状物的所述顶部上方的第一高度；所述第二源极或漏极结构上的第二沟槽接触部结构，所述第二沟槽接触部结构在垂直地位于所述半导体鳍状物之上的第二位置处具有在所述半导体鳍状物的所述顶部上方的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度；所述栅极结构上的第一绝缘层；以及所述第一沟槽接触部结构上的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层的顶表面与所述第一绝缘层的顶表面处于同一水平，并且其中，所述第一绝缘层的所述顶表面与所述第二沟槽接触部结构的顶表面处于