集成电路结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113948471A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202110581823.8(22)申请日2021.05.24(30)优先权数据63/084,7322020.09.29US17/214,4172021.03.26US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人熊德智王鹏吴俊德林焕哲(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258代理人杨佳婧(51)Int.Cl.H01L21/8238(2006.01)H01L27/092(2006.01)权利要求书2页说明书22页附图68页(54)发明名称集成电路结构及其制造方法(57)摘要本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在源极/漏极区域之上与栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件。氧化电介质帽盖的顶部。在氧化电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层。蚀刻ILD层和蚀刻停止层以形成过孔开口，该过孔开口延伸穿过ILD层和蚀刻停止层。在过孔开口中填充源极/漏极过孔。CN113948471ACN113948471A权利要求书1/2页1.一种形成半导体器件的方法，包括：在栅极结构之上沉积电介质帽盖；在源极/漏极区域之上与所述栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件；氧化所述电介质帽盖的顶部；在氧化所述电介质帽盖的顶部之后，在所述电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在所述蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；蚀刻所述ILD层和所述蚀刻停止层以形成过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层；以及在所述过孔开口中填充源极/漏极过孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质帽盖的顶部是使用氧等离子体来氧化的。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体是由O2气体产生的。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体是由O2气体与下列项中的一项或多项的气态混合物产生的：Ar气体、He气体、Ne气体、Kr气体、N2气体、CO气体、CO2气体、CxHyFz气体、NF3气体、羰基硫(COS)气体、以及SO2气体，其中，x、y和z大于零。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述过孔开口包括：执行第一蚀刻工艺以形成所述过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述ILD层并暴露所述蚀刻停止层的顶表面；以及执行第二蚀刻工艺以加深所述过孔开口，使得所述过孔开口延伸穿过所述蚀刻停止层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺使用与在所述第一蚀刻工艺中使用的蚀刻剂不同的蚀刻剂。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是如下等离子体蚀刻工艺：该等离子体蚀刻工艺使用由不含氢的气态混合物产生的等离子体。8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺是如下等离子体蚀刻工艺：该等离子体蚀刻工艺使用由含氢的气态混合物产生的等离子体。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区域之上沉积源极/漏极接触件；氧化所述源极/漏极接触件的顶部，以在所述源极/漏极接触件中形成金属氧化物区域；在氧化所述源极/漏极接触件的顶部之后，形成层间电介质(ILD)层以覆盖所述源极/漏极接触件的金属氧化物区域；在所述ILD层中形成过孔开口，以暴露所述源极/漏极接触件；以及在所述过孔开口中填充源极/漏极过孔。10.一种半导体器件，包括：栅极结构；电介质帽盖，位于所述栅极结构之上，并且包括氧化的区域以及位于所述栅极结构与所述氧化的区域之间的未氧化区域；源极/漏极接触件，与所述栅极结构相邻；2CN113948471A权利要求书2/2页层间电介质(ILD)层，位于所述电介质帽盖和所述源极/漏极接触件之上；以及源极/漏极过孔，在所述ILD层中并且电连接到所述源极/漏极接触件。3CN113948471A说明书1/22页集成电路结构及其制造方法技术领域[0001]本公开总体涉及集成电路结构及其制造方法。背景技术[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即使用制造工艺能够产生的最小组件(或线路))减小。该缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。发明内容[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在栅极结构之上沉积电介质帽盖；在源极/漏极区域之上与所述栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件；氧化所述电介质帽盖的顶部；在氧化所述电介质帽盖的顶部之后，在所述电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在所述蚀刻停止层之上沉