复合埋入式元件结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102117782A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102117782A(43)申请公布日2011.07.06(21)申请号201010001426.0(22)申请日2010.01.06(71)申请人南亚电路板股份有限公司地址中国台湾桃园县(72)发明人林贤杰张腾宇(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003代理人姜燕邢雪红(51)Int.Cl.H01L23/13(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/58(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图10页(54)发明名称复合埋入式元件结构及其制造方法(57)摘要本发明提供一种复合埋入式元件结构及其制造方法。复合埋入式元件结构包括至少两核心基板构成的一复合基板结构，至少两核心基板之间是通过一粘结层结合。一第一开口于一上层核心基板中，及一第二开口于一下层核心基板中，其中该第一开口大于该第二开口构成一倒凸字型空间。一芯片具有第一组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该倒凸字型空间，其中该芯片埋入该第二开口中，并与该下层核心基板之间具有一空隙。多个导盲孔穿透至少两材料叠层，对应并电性连接多个电性接触垫，以及一绝缘层设置于该复合基板结构上，且覆盖多个导盲孔与至少两绝缘材料叠层上。本发明的结构可承受应力增减，降低基板因应力变化所产生的形变。CN10278ACCNN110211778202117788A权利要求书1/3页1.一种复合埋入式元件结构，包括：至少两核心基板构成的一复合基板结构，所述至少两核心基板之间是通过一粘结层结合；一第一开口于一上层核心基板中，及一第二开口于一下层核心基板中，其中该第一开口大于该第二开口构成一倒凸字型空间；一芯片具有第一组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该倒凸字型空间，其中该芯片埋入该第二开口中，并与该下层核心基板之间具有一空隙；多个导盲孔穿透所述至少两材料叠层，对应并电性连接所述多个电性接触垫；以及一绝缘层设置于该复合基板结构上，且覆盖所述多个导盲孔与所述至少两绝缘材料叠层上。2.如权利要求1所述的复合埋入式元件结构，还包括一增层结构设置于该绝缘层上，其中该增层结构包括一层间介电层、一内连线和一导电金属盲孔，以电性连接该芯片的电性接触垫。3.如权利要求1所述的复合埋入式元件结构，其中所述至少两绝缘材料叠层包括一第一绝缘层和一第二绝缘层所构成的复合结构。4.如权利要求3所述的复合埋入式元件结构，其中该第一绝缘层具有良好的应力抵抗能力，包括聚亚酰胺。5.如权利要求3所述的复合埋入式元件结构，其中该第二绝缘层包括ABF系列的树脂材料。6.如权利要求1所述的复合埋入式元件结构，还包括一导热胶填入该空隙，以导出芯片所产生的热应力。7.如权利要求1所述的复合埋入式元件结构，其中该粘结层的材质包括聚丙烯。8.如权利要求1所述的复合埋入式元件结构，其中该芯片为一双面芯片，具有第二组电性接触垫于该芯片的背面上，并通过至少一贯穿芯片的导通孔电性连接第一组和第二组电性接触垫。9.如权利要求8所述的复合埋入式元件结构，还包括一额外的增层结构设置于该芯片的背面上，其中该额外的增层结构包括一层间介电层、一内连线和一导电金属盲孔，以电性连接该芯片的第二组电性接触垫。10.一种复合埋入式元件结构，包括：一第一埋入式封装构件，包括：一第一和一第二核心基板构成的一第一复合基板结构，该第一和第二核心基板是通过一第一粘结层结合，其中一倒凸字型空间形成于该第一和第二核心基板中；一第一芯片具有第一组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该倒凸字型空间，其中该第一芯片与该第二核心基板之间具有一空隙；多个导盲孔穿透所述至少两绝缘材料叠层，并对应该第一组电性接触垫；一第一绝缘层设置于该第一复合基板结构，且覆盖所述多个导盲孔与所述至少两绝缘材料叠层上；以及一第一增层结构设置于该第一绝缘层上；一第二埋入式封装构件，包括：2CCNN110211778202117788A权利要求书2/3页一第三和一第四核心基板构成的一第二复合基板结构，该第三和第四核心基板是通过一第二粘结层结合，其中一凸字型空间形成于该第三和第四核心基板中；一第二芯片具有第二组电性接触垫，固定于至少两绝缘材料叠层上，并镶入该凸字型空间，其中该第二芯片与该第四核心基板之间具有一空隙；多个导盲孔穿透所述至少两绝缘材料叠层，并对应该第二组电性接触垫；一第二绝缘层设置于该第二复合基板结构，且覆盖所述多个导盲孔与所述至少两绝缘材料叠层上；以及一第二增层结构设置于该第二绝缘层上；其中该第一和第二埋入式封装构件为背对背设置，其间通过一第三粘结层结合。11.如权利要求10所述的复合埋入式元件结构，还包括一导通孔结构的内侧壁上具有一导电