增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102646754A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102646754A(43)申请公布日2012.08.22(21)申请号201210115218.2(22)申请日2012.04.19(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所地址215123江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号(72)发明人王荣新付凯杨乐臣(74)专利代理机构苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)32239代理人丁秀华(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图11页(54)发明名称增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法(57)摘要本发明揭示了一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其包括如下步骤：1)采用GaN外延片作为衬底材料；2)在所述GaN外延片上沉积一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜；3)将所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜与GaN外延片的表面之间形成肖特基接触；以及4)在所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜的表面上沉积Ti/Au，作为加厚电极。本发明的制备工艺简单，器件成本低，同时还提高了器件的紫外探测灵敏度，适于日盲紫外探测器的工业化推广。CN1026475ACN102646754A权利要求书1/1页1.一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：1)采用GaN外延片作为衬底材料；2)在所述GaN外延片上沉积一层掺镓氧化锌薄膜；3)将所述一层掺镓氧化锌薄膜与GaN外延片的表面之间形成肖特基接触；以及4)在所述一层掺镓氧化锌薄膜的表面上沉积Ti/Au，作为加厚电极。2.根据权利要求1所述的增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括如下步骤：5)经钝化、封装后制成增强日盲光电响应的紫外探测器。3.根据权利要求1所述的增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述GaN外延片的GaN层厚度为0.05～100μm。4.根据权利要求1所述的增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述一层掺镓氧化锌薄膜的薄膜厚度为10nm～1μm。5.根据权利要求1所述的增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述肖特基接触具有图形结构。2CN102646754A说明书1/3页增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法。背景技术[0002]随着社会的发展，紫外探测器的应用已经遍及工作与生活的各个角落。其中，由于臭氧层的吸收波长是在220～280nm的范围，导致太阳辐射在12km以下的低空极其微弱，被称为太阳辐射盲区或日盲区。在背景相对洁净的日盲区，处在此波长范围内的紫外辐射很容易被检测出来。同时，由于避开了最强的太阳辐射背景，信息处理的负担也明显减轻了。在军事方面，导弹的高温羽烟产生的辐射以及未燃尽燃料的化学反应导致的辐射，都在太阳盲区波段占有一定份额，因此，在此波段进行探测和预警，虚警率很低，并使其预警距离可达5～10km，能够为飞行员提供7～15s的预警时间。在工业生产方面，对高压输电设备的漏电探测及明火探测，都有重要的应用。[0003]紫外探测的核心是紫外探测器件，其中固体型紫外探测器因其体积小、功耗小、工作电压低以及灵敏度高等优点，逐渐成为紫外探测器件应用的主流。在固体型日盲紫外探器中，AlGaN半导体材料随Al组分的增加，禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调(对应波长范围为200～365nm)，是日盲紫外探测器的理想材料。然而，III族氮化物生长过程极为复杂，并且随着Al组分的增加，因Al原子和Ga原子的迁移率不同，造成组分不均一。同时，生长模式也从二维生长逐渐向三维生长过渡并增加了材料中的位错密度。这些因素严重制约着AlGaN材料为基础的器件性能。发明内容[0004]本发明的主要目的是提供一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，实现对日盲段紫外光的光电探测，获得的紫外探测器具有良好的探测灵敏度。[0005]本发明的目的，通过以下技术方案得以实现：一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：[0006]1)采用GaN外延片作为衬底材料；[0007]2)在所述GaN外延片上沉积一层掺镓氧化锌(掺镓氧化锌(GZO))薄膜；[0008]3)将所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜与GaN外延片的表面之间形成肖特基接触；以及[0009]4)在所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜的表面上沉积Ti/Au，作为加厚电极。[0010]适宜的，上述制备方法还包括如下步骤：5)经钝化、封装后制成增强日盲光电响应的紫外探测器。[0011]进一步，所述