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本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法,属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括:高阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在1~2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,厚度为15~30nm,具有相对的第一表面和第二表面;低阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,连接于第一表面;收集电极,具有分别与第二表面连接的第一电极和第二电极。探测方法包括:在20~100V的工作电压下,采用探测器对日盲紫外光进行探测。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低的暗电流,探测方法能够获得较大的光电流增益,实现高的比探测率。