日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法.pdf
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日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法.pdf
本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法,属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括:高阻非晶氧化镓层,氧空位浓度和致密度可在1~2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积,厚度15~30nm,有相对的第一和第二表面;低阻非晶氧化镓层,氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积,连接于第一表面;收集电极,有分别与第二表面连接的第一和第二电极。探测方法采用探测器,包括:在20~100V的工作电压下进行探测;或每次探测后转换电压正负性。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低
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本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法,属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括:高阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在1~2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,厚度为15~30nm,具有相对的第一表面和第二表面;低阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,连接于第一表面;收集电极,具有分别与第二表面连接的第一电极和第二电极。探测方法包括:在20~100V的工作电压下,采用探测器对日盲紫外光进行探测。探测器作为两端结构可兼具高的
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本发明公开了一种日盲紫外探测器及其制备方法,日盲紫外探测器包括衬底、设置在衬底表面的VO2层、设置在VO2层表面的Ga2O3层、设置在Ga2O3层表面的电极,电极呈梳状结构。本申请公开的上述技术方案,将异质结设置为VO2层,当VO2层温度升高时,可以直接诱导VO2层的绝缘态‑金属态可逆相变,因此,相对于只能通过电极两端的电压调控探测器的性能,利用VO2绝缘‑金属可逆相变特性,增加调控探测器的光电特性的手段,提高探测器的抗干扰性能,从而可以提高日盲紫外探测器性能的稳定性,进而提高该器件的探测性能。