日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113659020A(43)申请公布日2021.11.16(21)申请号202110427683.9H01L31/108(2006.01)(22)申请日2021.04.20H01L31/20(2006.01)G01J1/42(2006.01)(66)本国优先权数据202110223347.22021.02.26CN(71)申请人松山湖材料实验室地址523808广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋(72)发明人朱锐梁会力王燕刘尧平梅增霞(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人唐菲(51)Int.Cl.H01L31/032(2006.01)H01L31/0376(2006.01)权利要求书1页说明书14页附图13页(54)发明名称日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法(57)摘要本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法，属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括：高阻非晶氧化镓层，氧空位浓度和致密度可在1～2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积，厚度15～30nm，有相对的第一和第二表面；低阻非晶氧化镓层，氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积，连接于第一表面；收集电极，有分别与第二表面连接的第一和第二电极。探测方法采用探测器，包括：在20～100V的工作电压下进行探测；或每次探测后转换电压正负性。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低的暗电流；探测时能够获得较大的光电流增益而实现高的比探测率，还能够有效减弱持续光电导。CN113659020ACN113659020A权利要求书1/1页1.一种日盲紫外探测器，其特征在于，包括：高阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在1～2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，厚度为15～30nm，具有相对的第一表面和第二表面；低阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，连接于所述第一表面；以及收集电极，具有分别与所述第二表面连接的第一电极和第二电极。2.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述低阻非晶氧化镓层的氧空位浓度和致密度可在无氧流量的条件下磁控溅射沉积得到；和/或，所述高阻非晶氧化镓层的氧空位浓度和致密度可在1sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到。3.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述低阻非晶氧化镓层的厚度为60～200nm；可选地，所述低阻非晶氧化镓层的厚度为90nm；和/或，所述高阻非晶氧化镓层的厚度为15～20nm。4.根据权利要求1所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述收集电极为高功函数电极；可选地，所述收集电极的材料为ITO、Au、Pt、Pd和MXene中的一种；可选地，所述收集电极的厚度为10～300nm。5.根据权利要求1～4任一项所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述日盲紫外探测器的基片连接于所述低阻非晶氧化镓层的远离所述高阻非晶氧化镓层的一侧，或者所述日盲紫外探测器的基片连接于所述收集电极的远离所述高阻非晶氧化镓层的一侧。6.根据权利要求5所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述基片为刚性基片；可选地，所述刚性基片的材质为硅片、蓝宝石和石英玻璃中的一种。7.根据权利要求5所述的日盲紫外探测器，其特征在于，所述基片为柔性基片；可选地，所述柔性基片的材质为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和有机玻璃中的一种；可选地，所述柔性基片的内表面覆盖有包覆层，所述包覆层的材质为氧化铝或者氧化铪。8.一种如权利要求1～7任一项所述的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括：形成依次连接的所述收集电极、所述高阻非晶氧化镓层以及所述低阻非晶氧化镓层。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高阻非晶氧化镓层和所述低阻非晶氧化镓层的生长方式均为磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、化学气相沉积、原子层沉积和分子束外延沉积中的一种；和/或，所述高阻非晶氧化镓层和所述低阻非晶氧化镓层的生长温度为‑20～450℃。10.一种日盲紫外探测方法，其特征在于，包括：在20～100V的工作电压下，采用如权利要求1～7任一项所述的日盲紫外探测器对日盲紫外光进行探测。11.一种日盲紫外探测方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1～7任一项所述的日盲紫外探测器对日盲紫外光进行探测，每完成一次检测后将工作电压的正负性进行转换。2CN113659020A说明书1/14页日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法[0001]本申请主张于2021年02月26日提交的中国专利申请(20211