用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102751267A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102751267A(43)申请公布日2012.10.24(21)申请号201210169815.3(22)申请日2012.05.28(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄巿楠梓加工区经三路26号(72)发明人李志成(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人翟羽(51)Int.Cl.H01L25/065(2006.01)H01L23/29(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书55页页附图附图55页(54)发明名称用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法(57)摘要本发明公开一种用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法，所述半导体封装构造包含一第一基板、至少一第一芯片、数个转接组件、至少一绝缘材料层、数个导电盲孔以及一重新分配层。所述第一芯片设置于所述第一基板的上表面。所述数个转接组件设置于所述第一基板的上表面。所述绝缘材料层压合于所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯片及所述转接组件，并且具有至少一开孔裸露所述转接组件。所述导电盲孔形成于所述绝缘材料层的开孔内。所述重新分配层设置于所述绝缘材料层上，所述重新分配层的上表面具有数个接合垫，所述接合垫透过所述重新分配层以及所述导电盲孔电性连接所述转接组件。CN102756ACN102751267A权利要求书1/2页1.一种用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：一第一基板，具有一上表面；至少一第一芯片，设置于所述第一基板的上表面；数个转接组件，设置于所述第一基板的上表面；至少一绝缘材料层，压合于所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯片及所述转接组件，并且具有至少一开孔裸露所述转接组件；数个导电盲孔形成于所述绝缘材料层的开孔内；以及一重新分配层，设置于所述绝缘材料层上，所述重新分配层的上表面具有数个接合垫，所述接合垫透过所述重新分配层以及所述导电盲孔电性连接所述转接组件。2.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造作为一堆叠式封装构造的一下封装体，并且通过所述接合垫电性连接一上封装体的一下表面的数个电性连接组件。3.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层为一低杨氏模数之材料。4.如权利要求3所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层之杨氏模数介于50至500百万帕斯卡之间。5.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层内还含浸有一玻璃纤维层。6.如权利要求5所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述玻璃纤维层介于所述第一芯片及所述绝缘材料层的一上表面之间。7.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述导电盲孔的直径小于所述转接组件的宽度。8.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述导电盲孔的深宽比小于0.5。9.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述重新分配层为一扇入式重新分配层。10.如权利要求2所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述上封装体的下表面的长宽尺寸小于所述下封装体的上表面的长宽尺寸。11.如权利要求2所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件选自凸块或金属球，所述电性连接组件选自凸块或金属球。12.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件的间距介于200至500微米之间。13.如权利要求12所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件的间距小于300微米。14.一种用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一第一基板，所述第一基板具有一上表面；将至少一芯片设置于所述第一基板的上表面；将数个转接组件设置于所述第一基板的上表面；2CN102751267A权利要求书2/2页将至少一绝缘材料层压合在所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯片及所述转接组件，所述绝缘材料层具有至少一开孔裸露所述转接组件；形成数个导电盲孔于所述绝缘材料层的开孔内；以及将一重新分配层设置于所述绝缘材料层上，所述重新分配层的上表面具有数个接合垫，所述接合垫透过所述重新分配层以及所述导电盲孔电性连接所述转接组件。15.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述半导体封装构造作为一堆叠式封装构造的一下封装体，并且通过所述接合垫电性连接一上封装体的一下表面的数个电性连接组件。16.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体