用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102768961A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102768961A(43)申请公布日2012.11.07(21)申请号201210114100.8H01L21/60(2006.01)(22)申请日2012.04.16(30)优先权数据61/482,9692011.05.05US13/173,9912011.06.30US(71)申请人意法半导体有限公司地址新加坡新加坡(72)发明人靳永钢刘云蔡珮玉A·拉玛萨米黄耀煌颜佳维(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华边海梅(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书77页页附图附图99页(54)发明名称用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体(57)摘要本公开涉及用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体。更具体地，涉及一种半导体封装工艺，包括在重构晶片中钻孔、然后通过跨晶片的背表面抹拭某一数量的导电胶从而迫使胶进入孔中来用胶填充孔。使胶固化以形成导电接线柱。使晶片减薄，并且在晶片的前表面和背表面上形成重新分布层，而接线柱充当在重新分布层之间的互连。在备选工艺中，钻出盲孔。向晶片的前表面涂敷干膜抗蚀剂，并且使其图案化以暴露孔。从正面涂敷导电胶。为了防止胶在孔中俘获气穴，在真空下执行抹拭工艺。在固化了胶之后，减薄晶片以暴露孔中的固化的胶，并且形成了重新分布层。CN1027689ACN102768961A权利要求书1/2页1.一种方法，包括：形成穿过重构晶片延伸的多个孔，多个半导体材料裸片嵌入在所述重构晶片中，每个所述裸片的正面在所述晶片的正面处暴露；向所述重构晶片的背面涂敷某一数量的导电胶；跨所述晶片的所述背面抹拭所述某一数量的导电胶，并且迫使所述胶的柱状物进入到所述多个孔中的每个孔中；控制每个胶的柱状物以沿着所述相应孔传递直至所述柱状物的前端位于所述重构晶片的所述正面的所选距离内；使所述多个孔中的所述导电胶固化，以形成穿过所述晶片延伸的多个导电接线柱；以及在所述晶片的所述正面上形成重新分布层，包括形成多个导电迹线，所述迹线的每个迹线的一部分与所述导电接线柱中的相应的导电接线柱形成物理接触或者电接触。2.根据权利要求1所述的方法，包括在所述晶片的所述背面上形成重新分布层。3.根据权利要求1所述的方法，包括从所述背面将所述晶片减薄成选定厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述重新分布层包括在所述晶片的所述正面上形成多个接触焊盘，并且将焊料球放置于所述接触焊盘的每个接触焊盘处。5.根据权利要求1所述的方法，其中控制每个柱状物包括调节所述导电胶的选自以下各项的一个或者多个特性：粘度、流变性、表面张力和固体含量。6.根据权利要求1所述的方法，其中控制每个柱状物包括选择所述孔的直径。7.根据权利要求1所述的方法，其中抹拭所述某一数量的导电胶包括与所述重构晶片的所述背面相抵布置橡胶辊的弹性刮刀，并且用它拉动导电胶的珠状物在所述多个孔中的每个孔的开口之上跨所述背面，由此迫使导电胶进入每个所述孔中。8.根据权利要求7所述的方法，其中控制每个柱状物包括调节以下各项中的一项或者多项：所述橡胶辊跨所述重构晶片移动的速度、与所述重构晶片相抵向所述刮刀施加的压力以及所述橡胶辊相对于所述重构晶片的所述背面的角度。9.根据权利要求7所述的方法，其中控制每个柱状物包括选择所述弹性刮刀的硬度。10.根据权利要求1所述的方法，其中控制每个柱状物包括向所述重构晶片的所述正面施加真空压力，并且将所述导电胶汲取到所述多个孔中。11.根据权利要求10所述的方法，其中控制每个柱状物包括调节以下各项中的一项或者多项：所述真空压力的强度、所述施加相对于所述抹拭的时序和所述施加的持续时间。12.一种方法，包括：形成穿过半导体晶片的厚度延伸的多个孔；在所述半导体晶片的背表面上沉积某一数量的导电胶；迫使所述某一数量的导电胶的一部分进入到所述多个孔中的每个孔中，以在每个孔内形成导电胶柱状物；以及控制被迫使进入所述多个孔中的每个孔中的所述部分的体积，从而使得每个柱状物的前端位于所述半导体晶片的正面的选定距离内。13.根据权利要求12所述的方法，包括使所述多个孔中的每个孔中的所述导电胶柱状物固化，以形成基本上从所述背面延伸到所述正面的相应导电接线柱。2CN102768961A权利要求书2/2页14.根据权利要求13所述的方法，包括在所述正面上形成重新分布，包括形成与每个所述导电接线柱电接触的导电迹线。15.根据权利要求13所述的方法，包括在所述背面上形成重新分布，包括形成与每个所述导电接线柱电接触的导电迹线。16.根据权利要求12所述的方法，其中所述半导体晶片是重构晶片，所述重构晶片包括嵌入在模