用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103871905103871905A(43)申请公布日2014.06.18(21)申请号201310692656.X(22)申请日2013.12.17(30)优先权数据13/718,1302012.12.18US(71)申请人马克西姆综合产品公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人K·坦比杜赖V·汉德卡尔T·周(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人陈松涛王英(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L23/488(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图4页附图4页(54)发明名称用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺(57)摘要本发明公开了一种用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺。具体而言，本文说明了用于浸焊工艺的技术，其提供了低轮廓、低成本的焊料凸点形成工艺，可以实施它以促进封装厚度缩放（例如减小总体封装厚度）。例如，本文公开的浸焊工艺可以实现超薄晶片级封装（WLP）、超薄晶片级方形扁平无引脚（WQFN）封装等。CN103871905ACN1038795ACN103871905A权利要求书1/2页1.一种工艺，包括：将助焊剂施加到晶片的凸点下金属层；将所述晶片放置到焊料浴中，以便以液体焊料涂覆所述凸点下金属层；以及将所述晶片从所述焊料浴中移除，以允许涂覆在所述凸点下金属层上的所述液体焊料固化并在所述凸点下金属层上形成焊料凸点。2.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括：在将助焊剂施加到所述晶片之前，加热所述晶片。3.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括：在将所述晶片从所述焊料浴中移除后，将所述助焊剂从所述晶片去除。4.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述晶片由硅形成。5.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述凸点下金属层是光限定的，并且由以下材料之一形成：铜、镍、金和无电镀镍浸金。6.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述助焊剂被配置用于抑制在所述晶片的表面上的氧化，所述助焊剂是以下助焊剂之一：水溶性助焊剂、免清洗助焊剂和松香助焊剂。7.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到100微米。8.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到50微米。9.根据权利要求8所述的工艺，其中，在所述焊料浴中的所述液体焊料处于至少230摄氏度的温度下。10.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括：在将所述晶片从所述焊料浴中移除后，将压缩气流施加到所述晶片，以便控制形成于所述凸点下金属层上的所述焊料凸点的高度。11.一种工艺，包括：加热硅晶片；将助焊剂施加到所述晶片的凸点下金属层，所述助焊剂是液体、泡沫或膏体之一；将所述晶片放置到焊料浴中，以便以熔融焊料涂覆所述凸点下金属层；将所述晶片从所述焊料浴中移除，以允许涂覆在所述凸点下金属层上的所述熔融焊料固化并在所述凸点下金属层上形成焊料凸点；以及将所述助焊剂从所述晶片去除。12.根据权利要求11所述的工艺，其中，所述助焊剂被配置用于抑制在所述晶片的表面上的氧化，所述助焊剂是以下助焊剂之一：水溶性助焊剂、免清洗助焊剂和松香助焊剂。13.根据权利要求11所述的工艺，进一步包括：在将所述晶片从所述焊料浴移除后，将压缩气流施加到所述晶片，以便控制形成于所述凸点下金属层上的所述焊料凸点的高度，所述压缩气流是压缩空气流和压缩氮气流之一。14.根据权利要求11所述的工艺，其中，加热所述晶片包括将所述晶片加热到比所述焊料的熔点低约20摄氏度到约30摄氏度的温度。15.根据权利要求11所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到100微米。2CN103871905A权利要求书2/2页16.根据权利要求15所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到50微米。17.根据权利要求11所述的工艺，进一步包括：将所述晶片切片以形成多个集成电路器件。18.根据权利要求11所述的工艺，其中，所述凸点下金属层是光限定的，并且由以下材料之一形成：铜、镍、金和无电镀镍浸金。19.一种晶片级封装器件，包括：集成电路器件，所述集成电路器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的一个或多个集成电路；形成于所述半导体衬底上的凸点下金属层；以及形成于所述凸点下金属层上的焊料凸点，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到50微米。20.根据权利要求18所述的晶片级封装器件，其中，所述焊料凸点的高度小于5微米。3CN103871905A说明书1/5页用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺背景技术[0001]在半导体封装中，诸如