一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构.pdf
Ja****23
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一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构.pdf
本发明公开了一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构,所述封装工艺包括:形成次级封装组件;自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处;在所述次级封装组件上开设通孔,所述通孔贯穿所述次级封装组件;在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层,然后进行填孔电镀;进行第一外层线路层的制作。本发明解决了以往埋入结构中大功率器件的热管理性能问题,解决了器件的散热,本发明利用基于有机基板工艺进行了其散热结构的设计,能够很好的满足其散热的性能。
一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构.pdf
本发明公开了一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构,所述封装工艺其包括,形成次级封装组件;自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处;在所述次级封装组件上开设通孔,所述通孔贯穿所述次级封装组件;在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层,然后进行填孔电镀;进行第一外层线路层的制作。本发明在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题,进一步推进了该技术产业化。
功率器件埋入式基板封装结构及制备方法.pdf
本发明公开了功率器件埋入式基板封装结构,其特征在于,包括功率半导体管芯和基板,所述功率半导体管芯通过流胶层压在所述基板上;在所述流胶内开设有若干盲孔和若干通孔,并对这些盲孔和通孔金属化,使得所述功率半导体管芯的电极与外层线路铜箔连接;对所述外层线路铜箔进行图形化处理后,进行植球和切割,形成功率器件埋入式基板封装结构。本发明还公开了上述率器件埋入式基板封装结构的制备方法。本发明解决了现有技术所存在的技术问题。本发明采用激光开孔在功率半导体管芯中的上电极的导电柱上作业,加工的冗余要比之前压焊盘Al层大很多,能
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本发明涉及基板,该基板包括基板本体、第一凹槽结构和第二凹槽结构。基板本体具有利用接合材料来接合被接合部件的接合面。第一凹槽结构形成在接合面中,并具有等于被接合部件的尺寸的开口尺寸以能够在接合面的平面方向上定位被接合部件。第二凹槽结构形成在第一凹槽结构中并具有第二深度,使得第一凹槽结构仅在沿周边的能够在垂直方向上支撑被接合部件的多个支撑位置处具有小于第二深度的第一深度。另外,本发明还涉及利用上述基板形成封装结构的方法及由此获得封装结构。根据本发明,能够在装置封装过程中严格控制接合材料的厚度均一性及被接合部件
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本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基板(10)与高密度芯片(51)倒装连接,在超高密度基板(10)的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极(110),基板外层金属电极(110)通过盲孔Ⅱ(150)与普通基板(20)连接、其上表面与低密度芯片(53)倒装连接,部分基板外层金属电极(110)的下表面与超高密度基板(10)的