一种封装基板的结构及其封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106373939A(43)申请公布日2017.02.01(21)申请号201611015530.9(22)申请日2016.11.18(71)申请人江阴长电先进封装有限公司地址214429江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区（澄江东路99号）(72)发明人张黎赖志明陈锦辉陈栋(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200代理人赵华(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种封装基板的结构及其封装方法(57)摘要本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本发明的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。CN106373939ACN106373939A权利要求书1/2页1.一种封装基板的结构，其包括普通基板（20），所述普通基板（20）的上表面设有若干个焊盘Ⅰ（230）、下表面设有若干个焊盘Ⅱ（250），其特征在于：还包括超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），所述包封层Ⅰ（310）设置于普通基板（20）的上表面，所述超高密度基板（10）由若干层高密度再布线金属层和选择性间隔于其间的绝缘层构成，且其上表面设置焊盘，两层或两层以上所述高密度再布线金属层彼此之间存在选择性电性连接，所述超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内且其上表面及其焊盘露出包封层Ⅰ（310），所述超高密度基板（10）的上表面的部分焊盘与所述高密度芯片（51）倒装连接，在所述高密度芯片（51）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），部分所述基板外层金属电极（110）的上表面与所述低密度芯片（53）倒装连接、其下表面通过穿透包封层Ⅰ（310）的盲孔（150）及其盲孔内金属与普通基板（20）的部分焊盘Ⅰ（230）连接，部分所述基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接，所述焊盘Ⅱ（250）设置焊料凸块。2.根据权利要求1所述的一种封装基板的结构，其特征在于：所述超高密度基板（10）的高密度再布线金属层的线宽/线距为6/6um以下。3.根据权利要求2所述的一种封装基板的结构，其特征在于：所述超高密度基板（10）的高密度再布线金属层的线宽/线距为5/5um、3/3um或1.8/1.8um。4.根据权利要求1所述的一种封装基板的结构，其特征在于：所述超高密度基板（10）的高密度再布线金属层的层数为5层以上。5.根据权利要求4所述的一种封装基板的结构，其特征在于：所述超高密度基板（10）的高密度再布线金属层的层数为6层、7层、8层。6.根据权利要求1所述的一种封装基板的结构，其特征在于：还包括包封层Ⅱ（610），所述包封层Ⅱ（610）覆盖高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和高密度基板（10）、包封层Ⅰ（310）、基板外层金属电极（110）的裸露部分。7.根据权利要求1至6中任一项所述的一种封装基板的结构，其特征在于：还包括通孔（170），所述通孔（170）穿透包封层Ⅰ（310）和普通基板（20），其内填充金属，部分所述基板外层金属电极（110）的下表面通过通孔内金属与普通基板（20）的部分焊盘Ⅱ（250）连接。8.一种封装基板的封装方法，包括如下工艺过程：步骤一、将超高密度基板（10）的上表面与载体（700）的上表面通过双面剥离膜（T1）贴装固定；步骤二、通过真空贴膜的方式在双面剥离膜（T1）的上表面形成包封层Ⅰ（310），将超高密度基板（10）包覆于其中；步骤三、将步骤二中的封装结构与普通基板（20）进行对位并健合；步骤四、分离载体（700）和双面剥离膜（T1），露出超高密度基板（10）的上表面及其焊盘；步骤五、顺次通过激光打孔工艺、电镀铜工艺，在超高密度基板（10）的垂直区域之外形成穿透包封层Ⅰ（310）的盲孔（150）及其盲孔内金属和基板外层金属电极（110），其中，部分基板外层金属电极（110）延伸至超高密度基板（10）的垂直区域之内，基板外层金属电极