掩膜集成框架及蒸镀设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105887010A(43)申请公布日2016.08.24(21)申请号201610320002.8(22)申请日2016.05.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司(72)发明人嵇凤丽白珊珊梁逸南(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002代理人李相雨(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)C23C14/56(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称掩膜集成框架及蒸镀设备(57)摘要本发明提供了一种掩膜集成框架及蒸镀设备，该掩膜集成框架包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。本发明提供的掩膜集成框架可以有效缓解由于框架上的对位孔中残留液体从而干扰对位的问题。CN105887010ACN105887010A权利要求书1/1页1.一种掩膜集成框架，包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，其特征在于，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。2.根据权利要求1所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔包括第一部，所述第一部的内壁与所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的内壁上。3.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一部呈圆锥体状，且所述第一部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面。4.根据权利要求3所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的锥角为60度～150度，所述第一部的高为1.5毫米～2.0毫米。5.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔还包括呈柱体状的第二部，所述第二部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面。6.根据权利要求5所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第二部的高度为0.8毫米～1.2毫米。7.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，当所述第一对位孔为通孔时，所述第一部呈柱体状，且所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面非垂直。8.根据权利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面之间的夹角为30度～60度。9.根据权利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔还包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱体状，且所述第三部的轴线与所述掩膜板所在平面垂直。10.根据权利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述框架以及所述掩膜板均为金属材质，所述掩膜板焊接在所述框架上。11.根据权利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，包括多个所述对位标记。12.一种蒸镀设备，其特征在于，包括权利要求1-11任一所述的掩膜集成框架。2CN105887010A说明书1/4页掩膜集成框架及蒸镀设备技术领域[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种掩膜集成框架及蒸镀设备。背景技术[0002]OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示面板具有自发光、反应快、亮度高、轻薄等诸多优点，已经逐渐成为显示领域的主流。[0003]OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机电致发光材料形成，目前主要采用掩膜板并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中，在进行蒸镀工艺时，掩膜板必须焊接在框架上放在蒸镀机里面使用，掩膜板和框架焊接在一起称为MFA(MaskFrameAssemble，掩膜集成框架)。[0004]为在蒸镀前与TFT基板对位，MFA的四角设置有用于对位的对位标记(mark)，目前设计是在框架的四个角分别制作半刻蚀圆锥形孔，并在对位掩膜板(alignmask)上对应的位置制作对位孔，所形成的对位标记的结构如图1所示，俯视图如图2所示，对位掩膜板210’上的对位孔211’的中心与其下方的框架100’上的半刻蚀圆锥形孔101’的中心重合，在对位过程中，通过CCD图像传感器