一种芯片封装结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106531642A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201611116575.5(22)申请日2016.12.07(71)申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司地址214000江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋(72)发明人郭学平郝虎于中尧(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆胡彬(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称一种芯片封装结构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，制备方法包括：提供一载板，在载板的上下表面制备双层剥离结构，在双层剥离结构上远离载板的一侧制备重布线层，在重布线层以及双层剥离结构表面制备第一介质层，在第一介质层中制备至少一个盲孔，在盲孔内填充导电材料，提供一芯片，将芯片倒装在第一介质层上，在芯片周围制备第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层且包覆芯片，将双层剥离结构进行剥离，刻蚀双层剥离结构的上层结构，露出重布线层和第一介质层，在重布线层上远离第一介质层的一侧制备焊球，焊球与重布线层电连接。综上，制备方法简单、操作性强，成本低，可以避免芯片损伤，同时在载板两侧同时进行制备工艺开展，效率高，避免翘曲。CN106531642ACN106531642A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一载板，分别在所述载板的上、下表面制备双层剥离结构，所述双层剥离结构包括上层结构和下层结构；分别在所述双层剥离结构上远离所述载板的一侧制备重布线层；在所述重布线层以及所述双层剥离结构表面制备第一介质层，所述第一介质层覆盖所述重布线层以及所述双层剥离结构；在所述第一介质层中制备至少一个盲孔，所述盲孔与所述重布线层对应设置，且所述盲孔贯穿所述第一介质层；在所述盲孔内填充导电材料；提供一芯片，所述芯片包括有源面、位于所述有源面上的至少一个焊盘以及与所述焊盘相连的电连接凸起，将所述芯片倒装在所述第一介质层上，所述电连接凸起与所述盲孔对应；在所述芯片周围制备第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层且包覆所述芯片；将所述双层剥离结构的上层结构和下层结构进行剥离，得到两个芯片封装结构，所述上层结构位于所述芯片封装结构上，所述下层结构位于所述载板上；刻蚀所述上层结构，露出所述重布线层和所述第一介质层；在所述重布线层上远离所述第一介质层的一侧制备焊球，所述焊球与所述重布线层电连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述芯片上电连接凸起的数目与所述盲孔的数目相同。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述芯片倒装在所述第一介质层上，包括：采用倒装焊机将所述芯片倒装在所述第一介质层上。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述双层剥离结构为双层剥离铜箔，所述双层剥离铜箔包括上层铜箔和下层铜箔。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述上层结构，露出所述重布线层和所述第一介质层，包括：采用湿法刻蚀的方式刻蚀所述上层铜箔，露出所述重布线层和所述第一介质层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述盲孔内填充导电材料，包括：使用化学电镀种子层和电镀的方式在所述盲孔内填充导电材料。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层中制备至少一个盲孔，包括：使用激光打孔的方式，在所述第一介质层中制备至少一个盲孔。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材料为ABF、FR-4、BT树脂或者聚丙烯。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述上层结构，露出所述重布线层和所述第一介质层之后，在所述重布线层上远离所述第一介质层的一侧制备焊球之前，还包括：2CN106531642A权利要求书2/2页在所述重布线层上远离所述第一介质层的一侧制备绝缘层；刻蚀所述绝缘层形成开口，所述开口露出所述重布线层；通过所述开口制备焊球。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为阻焊绿油或者有机材料。11.一种芯片封装结构，采用权利要求1-10任一项所述的制备方法制备得到，其特征在于，包括：重布线层；位于所述重布线层上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述重布线层；所述第一介质层上形成有至少一个盲孔，所述盲孔与所述重布线层对应设置，所述盲孔贯穿所述第一介质层且所述盲孔中填充有导电材料；位于所述第一介质层上远离所述重布线层一侧的芯片，所述芯片包括有源面、位于所述有源面上的至少一个焊盘以及与所述焊盘