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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107046772A(43)申请公布日2017.08.15(21)申请号201710394877.7(22)申请日2017.05.30(71)申请人邹时月地址518000广东省深圳市南山区南海大道与东滨路交汇处新街口花园F栋506(72)发明人邹时月(51)Int.Cl.H05K1/18(2006.01)H05K3/32(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种裸芯片埋入式电路板的制造方法(57)摘要本发明涉及一种裸芯片埋入式电路板的制造方法,包括:在芯材开设盲孔,在盲孔内设置导电胶;将裸芯片置于盲孔中;其中,裸芯片的一面具有铝电极,另一面为非铝电极;铝电极至少包括三层金属层:铝层、铜层、铝层,铜层位于中间层;并使裸芯片的具有非铝电极的表面粘贴在导电胶上;在裸芯片的侧面与盲孔的侧面的缝隙中填充绝缘介质,固定电子元件;去除铝电极表面的铝层,漏出铜层,在芯材的2两面镀铜;制作芯材两面的线路。在裸芯片进入电路板生产工艺前,在铝电极层上添加铜层、铝层,铜层表面的铝层在电路板工艺处理中,可以通过前处理去除,漏出铜层,铜层能够适应电路的生产工艺流程,可以使带有铝电极的电子元件与电路板的制作工艺兼容。CN107046772ACN107046772A权利要求书1/1页1.一种裸芯片埋入式电路板的制造方法,其特征在于,包括:A.在电路板的芯材开设盲孔,在所述盲孔内设置导电胶;B.将裸芯片置于所述盲孔中;其中,裸芯片的一面具有铝电极,另一面为非铝电极;所述铝电极至少包括三层金属层:铝层、铜层、铝层,所述铜层位于中间层,所述铜层的厚度在5um以上;并使所述裸芯片的具有非铝电极的表面粘贴在所述导电胶上;C.在所述裸芯片的侧面与所述盲孔的侧面的缝隙中填充绝缘介质,固定所述电子元件;D.电镀前处理,去除所述铝电极表面的铝层,漏出铜层,在所述芯材的2两面镀铜;E.制作芯材两面的线路。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤E之后,还包括:F.将所述制作完线路的芯材与其它已经制完电路的覆铜板压合、钻孔、电镀,制作导电孔和表层线路。3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤C包括:C1:在埋入电子元件的芯材的一面印刷感光树脂;C2:通过曝光显影将所述电子元件的侧面与所述盲孔的侧面的缝隙中的感光树脂固化,去除其它部位的感光树脂,漏出铝电极。4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述步骤A之前还包括:A1:蚀刻所述盲孔两面及盲孔周边的铜层;所述步骤C2之后还包括:C3:将所述感光树脂研磨至与芯材的铜层平齐。5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述裸芯片的另一面为铜电极、金电极、银电极或镍钯金电极。6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述铜层与底层铝层和上层铝层的交界面设置有凹凸度为1~2um的凹坑和凸起,所述铝层的铝和铜层的铜交错填平所述凹坑和凸起。2CN107046772A说明书1/2页一种裸芯片埋入式电路板的制造方法技术领域[0001]本发明涉及电路板制造技术领域,具体涉及一种裸芯片埋入式电路板的制造方法。背景技术[0002]常规的电源电子模块中,电源半导体芯片,例如MOSFET或IGBT芯片通常采用引线键合方式与基板连接。然而,由于其较长的互连尺寸,在开关电源中容易产生较大的应力和较大的电磁干扰(EMI)噪声。另外,随着电力电子半导体器件的快速发展,开关频率越来越高,装置体积进一步减小,寄生参数对电源性能和可靠性的影响也越来越显著,器件的功耗也越来越大。将电源芯片直接埋入印刷线路板内部,可以有效解决以上问题。[0003]但是,电源芯片通常包含铝材质的电极(以后称为铝电极),而铝的化学性质决定了铝电极不能与电路板的制作工艺兼容,如铝电极表面不能采用激光加工盲孔,铝电极在蚀刻等工艺中会被化学物质腐蚀损坏等。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是:本发明实施例提供一种裸芯片埋入式电路板的制造方法,可以使带有铝电极的电子元件与电路板的制作工艺兼容。[0005]一种裸芯片埋入式电路板的制造方法,包括:A.在电路板的芯材开设盲孔,在盲孔内设置导电胶;B.将裸芯片置于盲孔中;其中,裸芯片的一面具有铝电极,另一面为非铝电极;铝电极至少包括三层金属层:铝层、铜层、铝层,铜层位于中间层,铜层的厚度在5um以上;并使裸芯片的具有非铝电极的表面粘贴在导电胶上;C.在裸芯片的侧面与盲孔的侧面的缝隙中填充绝缘介质,固定电子元件;D.电镀前处理,去除铝电极表面的铝层,漏出铜层,在芯材的2两面镀铜;E.制作芯材两面的线路。[0006]优选的,步骤E之后,还包括:[0007]F.将制作完线路的芯材与其它已经制完电路的覆铜板压合、