一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112688655A(43)申请公布日2021.04.20(21)申请号202011551439.5(22)申请日2020.12.24(71)申请人苏州科阳半导体有限公司地址215143江苏省苏州市苏州相城经济技术开发区漕湖产业园方桥路568号(72)发明人朱其壮李永智吕军赖芳奇(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人胡彬(51)Int.Cl.H03H9/02(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构(57)摘要本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构。滤波器晶圆包括基板，基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，滤波器晶圆级封装工艺包括：在硅片的一侧开设凹槽以形成覆盖晶圆；通过胶水层将覆盖晶圆设置有凹槽的一侧粘合于基板的上侧，以形成配合体，功能区容纳于基板与凹槽围成的空间；从覆盖晶圆一侧，对配合体开设盲孔，以使焊垫的导电层露出；将微凸焊点与所述导电层电性连接。本发明的滤波器晶圆级封装工艺，封装过程简单、不易污染功能区，且有利于降低封装结构的厚度。本发明的滤波器晶圆级封装结构，通过采用上述的滤波器晶圆及封装工艺，生产过程更简单方便，且整体更轻薄、封装效果好。CN112688655ACN112688655A权利要求书1/2页1.一种滤波器晶圆级封装工艺，滤波器晶圆(1)包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有功能区(12)和多个焊垫(13)，其特征在于，包括：在硅片的一侧开设凹槽(21)以形成覆盖晶圆(2)；通过胶水层(3)将所述覆盖晶圆(2)设置有凹槽(21)的一侧粘合于所述基板(11)的上侧，以形成配合体(4)，所述功能区(12)容纳于所述基板(11)与所述凹槽(21)围成的空间；从所述覆盖晶圆(2)一侧，对所述配合体(4)开设盲孔(41)，以使所述焊垫(13)的导电层(132)露出；将微凸焊点(5)与所述导电层(132)电性连接。2.如权利要求1所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，在对所述配合体(4)开设盲孔(41)前，将所述覆盖晶圆(2)减薄至10μm～500μm。3.如权利要求1所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，在将所述微凸焊点(5)与所述导电层(132)电性连接后，将所述基板(11)减薄至20μm～300μm。4.如权利要求3所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，在减薄所述基板(11)前，在所述覆盖晶圆(2)上粘附研磨胶带(6)，所述研磨胶带(6)包覆所述微凸焊点(5)，当减薄完所述基板(11)后，撕下所述研磨胶带(6)。5.如权利要求1‑4任一项所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，所述滤波器晶圆级封装工艺还包括：在加工完所述盲孔(41)后，通过物理气相沉积的方式对所述配合体(4)溅射金属层(7)，所述金属层(7)覆盖所述覆盖晶圆(2)远离所述基板(11)的表面和所述盲孔(41)的内表面；通过电镀工艺将溅射有所述金属层(7)的所述盲孔(41)填满Cu连接体(8)，所述微凸焊点(5)与所述Cu连接体(8)电性连接。6.如权利要求5所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，所述覆盖晶圆(2)上侧位于所述盲孔(41)预设尺寸范围内的区域为预设区域，在所述Cu连接体(8)填满所述盲孔(41)后，去除所述金属层(7)在所述覆盖晶圆(2)上除所述预设区域以外的部分，只保留预留区(71)；采用化学镀的方式在所述预留区(71)上镀设球下金属层(9)，所述球下金属层(9)与所述微凸焊点(5)电性连接。7.如权利要求1‑4任一项所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，所述凹槽(21)的成型方法包括：采用光刻的方法在所述硅片的下表面制作出待开槽区域；采用干法刻蚀或湿法腐蚀硅的方式在所述待开槽区域刻蚀出所述凹槽(21)；或采用激光烧蚀方法，直接在所述覆盖晶圆(2)上制作出所述凹槽(21)。8.如权利要求1‑4任一项所述的滤波器晶圆级封装工艺，其特征在于，所述盲孔(41)通过激光打孔工艺成型，所述盲孔(41)穿透所述焊垫(13)，以使所述焊垫(13)的所述导电层(132)露出。9.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，采用如权利要求1‑8任一项所述的滤波器晶圆封装方法制成。10.如权利要求9所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：滤波器晶圆(1)；2CN112688655A权利要求书2/2页覆盖晶圆(2)，由硅片制成，所述覆盖晶圆(2)通过胶水层(3)粘合于所述基板(11)的上表面，所述覆盖晶圆(2)靠近所述基板(11)的一侧开设有凹槽(21)，所述功能区(12)容纳于所述基板(1