一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114937604A(43)申请公布日2022.08.23(21)申请号202210382208.9(22)申请日2022.04.12(71)申请人华天科技（南京）有限公司地址211805江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号(72)发明人徐召明(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200专利代理师马贵香(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构(57)摘要本发明属于封装技术领域，具体公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。在晶圆上方设置若干铝焊盘；在所有铝焊盘表面镀一层镍金，形成若干镍金层；将晶圆浸泡在液体助焊剂中，直至所有镍金层表面蘸满助焊剂后取出；将晶圆放入锡炉中，直至每个镍金层上形成一个互联的锡凸点后取出；将晶圆表面的助焊剂洗净；在洗净晶圆的锡凸点一面贴一层胶膜，然后进行塑封料填充。本发明通过先在铝焊盘上镀镍金，再包裹助焊剂，然后放入锡炉生成锡凸点，镍金层外的界面不会浸到锡，替代了复杂锡凸点制作工艺流程。晶圆浸锡完成后，整片晶圆进行助焊剂清洗，然后烘干进行晶圆塑封，漏出锡层焊点，替代传统锡凸点制作流程，提高了生产效率。CN114937604ACN114937604A权利要求书1/1页1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆(1)上方设置若干铝焊盘(2)；在所有铝焊盘(2)表面镀一层镍金，形成若干镍金层(3)；将所述晶圆(1)浸泡在液体助焊剂(4)中，直至所有镍金层(3)表面蘸满助焊剂(4)后取出；将所述晶圆(1)放入锡炉中，直至每个所述镍金层(3)上形成一个互联的锡凸点(5)后取出；将所述晶圆(1)表面的助焊剂(4)洗净；在洗净晶圆(1)的锡凸点(5)一面贴一层胶膜，然后进行塑封料(6)填充。2.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆(1)表面除铝焊盘(2)外全部钝化层处理。3.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，所述镍金层(3)的镍层厚度为3um，金层厚度为0.1um。4.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，将所述晶圆(1)放入液体助焊剂(4)中时，保持晶圆(1)与助焊剂(4)液面呈60°斜插入装有液体助焊剂(4)的容器中。5.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆(1)在助焊剂(4)中浸泡时间为4s‑6s。6.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，将所述晶圆(1)放入锡炉中时，保持晶圆(1)与熔融锡面呈60°斜插入的锡炉里。7.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆(1)在锡炉中浸泡4s‑6s。8.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，所述锡凸点(5)的高度为20‑30um。9.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装方法，其特征在于，对晶圆(1)贴胶膜并填充时，具体包括以下步骤：在晶圆(1)有锡凸点(5)的一面贴一层胶膜，胶膜覆盖所述锡凸点(5)高度的50％；将塑封料(6)填充到不同锡凸点(5)之间的空隙中，直至塑封料(6)高度达到锡凸点(5)的50％。10.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括晶圆(1)，所述晶圆(1)上方设有若干铝焊盘(2)，每个所述铝焊盘(2)表面设有镍金层(3)，每个所述镍金层(3)上方都设有锡凸点(5)，每个锡凸点(5)之间的空隙填充有塑封料(6)。2CN114937604A说明书1/3页一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构技术领域[0001]本发明属于封装技术领域，具体涉及一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。背景技术[0002]晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)产品属于晶圆级封装，也被称为扇入式晶圆级封装(FI‑WLP)，芯片尺寸与封装尺寸是1：1，其散热性能、电学性能及可靠性等级均比传统封装优越。其适用于广泛的应用市场，通常与模拟和混合信号，无线连接和汽车设备类别有关，包括集成无源设备，编解码器，功率放大器，IC驱动器，RF收发器，无线局域网芯片，GPS和汽车雷达等应用。传统的WLCSP晶圆也是把芯片四边的信号通过重分布层(ReDistributionLayer，简称RDL)再布线方式引到芯片中间区域，再生成互联锡凸点，最后切割成单粒芯片，卷包reel出货。本发明结合Fab晶圆在制造时，芯片上的铝焊盘按照客户需求分布，铝焊盘上电镀镍金，整片晶圆浸锡形成微锡凸点，替代传统WLCSP晶圆RDL再布线和锡凸点制作；