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本发明公开了一种晶圆级封装结构及工艺,涉及集成电路封装技术领域。该晶圆级封装结构,包括:基板;印制在基板的第一表面上的引出电极、以及印制在基板的第二表面上的键合焊盘;其中,键合焊盘的第一端通过贯穿基板的金属化过孔与引出电极连接,其第二端自基板的第二表面延伸至目标裸晶的放置区域;倒装在基板的第二表面的目标裸晶的放置区域上的裸晶,其上的裸晶电极与键合焊盘的第二端连接;位于基板的第二表面上,覆盖裸晶和键合焊盘的封装保护层。本发明实施例中晶圆级封装结构通过采用印刷工艺形成基板上的引出电极,避免了采用覆铜板蚀刻工艺的工序复杂、效率低、存在污染的缺陷,实现了低成本、高效率的简易工艺,适宜大规模工艺化生产。