硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113684470A(43)申请公布日2021.11.23(21)申请号202110958889.4(22)申请日2021.08.20(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘兵(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L21/687(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备(57)摘要本申请提供了一种硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备。所述硅片载台包括：载台，所述载台上表面具有盲孔；高度能够调整的支撑柱，所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔，用于支撑置于所述载台上表面的硅片；所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应载台由于温度变化而产生的形变。通过在载台上设置盲孔，将所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔，防止了支撑柱的移动，进而防止了置于支撑柱上的硅片移动。将所述支撑柱设置为高度可调整的结构，解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题，一个硅片载台就能够适用于不同的工艺制程，提高了半导体设备的生产效率。CN113684470ACN113684470A权利要求书1/2页1.一种硅片载台，其特征在于，包括：基座，所述基座上表面具有盲孔；高度能够调整的支撑柱，所述支撑柱嵌入所述基座的盲孔，用于支撑置于所述基座上表面的硅片；所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应基座由于温度变化而产生的形变。2.根据权利要求1所述的硅片载台，其特征在于，所述支撑柱包括：螺柱，所述螺柱的外壁具有螺纹结构；螺环，所述螺环内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱外壁上；螺母，所述螺母内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱顶部；所述支撑柱高于所述盲孔的高度且所述支撑柱的高度能够通过所述螺环和所述螺母在所述螺柱上的位置进行调整。3.根据权利要求2所述的硅片载台，其特征在于，所述基座上表面的盲孔设置为一个以上且为中心对称分布。4.根据权利要求3所述的硅片载台，其特征在于，所述螺柱的螺纹数量大于所述螺环的螺纹数量，以使所述螺环能够被固定在所述螺柱的不同高度上。5.根据权利要求2所述的硅片载台，其特征在于，所述螺母的顶部为弧形，以减少硅片与支撑柱的接触面积。6.一种沉积方法，其特征在于，包括：在硅片载台上表面设置高度能够调整的支撑柱；量测前一片晶圆的沉积结果并记录所述支撑柱的高度；根据所述沉积结果及目标沉积结果调整所述支撑柱的高度；沉积后一片晶圆。7.根据权利要求6所述的沉积方法，其特征在于，所述硅片载台上表面具有盲孔，所述支撑柱嵌入所述盲孔。8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化。9.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述支撑柱包括：螺柱，所述螺柱的外壁具有螺纹结构；螺环，所述螺环内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱外壁上；螺母，所述螺母内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱顶部；所述支撑柱高于所述盲孔的深度且所述支撑柱的高度能够通过所述螺环和所述螺母在所述螺柱上的位置进行调整。10.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，在第一温度下通过调整螺环的高度来设置所述支撑柱的初始高度。11.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，在第二温度下固定所述支撑柱。12.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：控制机台、喷射装置、及硅片载台；所述硅片载台用于放置硅片，包括：2CN113684470A权利要求书2/2页基座，所述基座上表面具有盲孔；高度可调整的支撑柱，所述支撑柱嵌入所述基座的盲孔，用于支撑置于所述基座上表面的硅片；所述支撑柱的高度与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应基座由于温度变化而产生的形变；所述控制机台控制喷射装置在硅片上沉积薄膜。13.根据权利要求12所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述支撑柱包括：螺柱，所述螺柱的外壁具有螺纹结构；螺环，所述螺环内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱外壁上；螺母，所述螺母内壁开设有螺纹槽，并嵌套在所述螺柱顶部；所述支撑柱高于所述盲孔的深度且所述支撑柱的初始高度能够通过所述螺环和所述螺母在所述螺柱上的位置进行调整。14.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述载台上表面的盲孔设置为一个以上且为中心对称分布。15.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述螺母的顶部为弧形，以减少硅片与支撑柱的接触面积。3C