

硅片的沉积控制方法、装置、沉积设备及计算机设备.pdf
曾琪****是我
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硅片的沉积控制方法、装置、沉积设备及计算机设备.pdf
本申请涉及光伏领域,特别是涉及硅片的沉积控制方法、装置、沉积设备及计算机设备,所述方法包括:基于石墨舟的使用次数与硅片所沉积的减反膜厚度的对应关系,确定上一次石墨舟使用时所对应的硅片所沉积的减反膜厚度;基于所述上一次石墨舟使用时所对应的硅片所沉积的减反膜厚度以及减反膜的预设厚度区间,修正本次石墨舟使用时的沉积功率或沉积时间,以控制硅片的减反膜厚度达到目标厚度。本发明修正本次石墨舟使用时的沉积功率或沉积时间,以控制硅片的减反膜厚度达到目标厚度,使得每次沉积的硅片的减反膜厚度能够控制在预设厚度区间内。
硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备.pdf
本申请提供了一种硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备。所述硅片载台包括:载台,所述载台上表面具有盲孔;高度能够调整的支撑柱,所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,用于支撑置于所述载台上表面的硅片;所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化,以适应载台由于温度变化而产生的形变。通过在载台上设置盲孔,将所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,防止了支撑柱的移动,进而防止了置于支撑柱上的硅片移动。将所述支撑柱设置为高度可调整的结构,解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题,一个硅片载台就能够适用于
工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备.pdf
本发明公开了一种工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。包括:至少两个工艺气体源;至少两个供气管路,每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间;其中,每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路,各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。对于K值较低的前驱体,可以在工艺气体源内存储该前驱体,这样,该前驱体可以经由两个并联的供气支路进入到工艺腔室内,可以降低该前躯体在供气管路的滞留,并且增加单次该前驱体进入工艺腔室的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1),增加该
沉积装置及沉积方法.pdf
本发明提供能够以规定的涂覆组成和速度连续涂覆的装置及方法,作为一个实施例,本发明提供一种沉积装置,其为在基板上涂覆2种以上的化合物或元素的沉积装置,包括:供应单元,将所述2种以上的化合物或元素以多个固体形式供应;加热单元,使从所述供应单元供应的固体熔融并蒸发,以形成蒸气;缓冲单元,与所述加热单元连接,并且所述蒸气停留在其中并,与之前生成的蒸气混合;以及喷嘴,与所述缓冲单元连接,并朝向基板形成开口。
薄膜沉积设备及薄膜沉积方法.pdf
本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔,该薄膜沉积腔包括:腔体外壳,腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体;靶材托架,设置于腔体的中部,用于放置由组分A构成的靶材;基片台,设置于腔体中部,与靶材托架相对设置;激光入射口,设置于腔体外壳的侧面,与并靶材托架倾斜相对,用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉;束源炉接口,设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对,用于入射由组分B构成的分子束流;激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流。本发明能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程