半导体薄膜的沉积设备和沉积方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113832449A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202010584724.0(22)申请日2020.06.24(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人杨德赞谭华强王燚刘闻敏魏有雯(74)专利代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229代理人李丹(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/46(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称半导体薄膜的沉积设备和沉积方法(57)摘要本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法，包括腔体和盖板，加热盘，加热盘通过支撑杆支撑，还包括：晶圆升降机构设置于腔体内；水平调节机构设置于腔体外；晶圆升降机构包括：同心定位盘设置于腔体内，位于加热盘的下方；同心调整手，通过板簧设置于同心定位盘的边缘上，与同心定位盘活动连接，同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板；顶针支板，设置于加热盘和第二横板之间，均匀设有多个顶针；蓝宝石玻璃，设置于顶针支板的下方；动力单元，通过支杆与顶针支板连接，支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置，以及三者平行度，从而提高晶圆的薄膜沉积质量，提高产品的成品率，进而提高企业的经济性。CN113832449ACN113832449A权利要求书1/2页1.一种半导体薄膜的沉积设备，所述沉积设备包括腔体和设置于腔体上方的盖板，所述腔体的中心处设有加热盘，所述加热盘通过支撑杆支撑，其特征在于，所述沉积设备还包括：晶圆升降机构，设置于所述腔体的内部；水平调节机构，设置于所述腔体的外部；其中，所述晶圆升降机构包括：同心定位盘，设置于所述腔体内，所述同心定位盘位于所述加热盘的下方，所述同心定位盘的尺寸与所述腔体的尺寸相匹配；同心调整手，通过板簧设置于所述同心定位盘的边缘上，所述同心调整手与所述同心定位盘活动连接，所述同心调整手包括平行设置的第一横板和第二横板，以及连接所述第一横板和所述第二横板的竖板，所述加热盘设置于所述第一横板和所述第二横板之间；顶针支板，设置于所述加热盘和所述第二横板之间，所述顶针支板上均匀设有多个顶针；蓝宝石玻璃，设置于所述顶针支板的下方；动力单元，通过支杆与所述顶针支板连接，所述支杆贯穿所述腔体。2.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述水平调节机构包括：X轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端；第一伺服电机，与所述第一减速器连接，所述第一减速器的输出轴上设有第一偏心凸轮，所述第一偏心轮与所述X轴旋转弧形座匹配设置；Y轴旋转弧形座，设置于所述支撑杆的下端，所述Y轴旋转弧形座位于所述X轴旋转弧形座的下方；第二伺服电机，与所述第二减速器连接，所述第二减速器的输出轴上设有第二偏心轮，所述第二偏心轮与所述Y轴旋转弧形座匹配设置。3.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：吸附机构，设置于所述加热盘上。4.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：波纹管，外套于所述支撑杆上，所述波纹管位于所述腔体的外部。5.根据权利要求1所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：喷淋板，设置于所述盖板上，所述喷淋板位于所述腔体内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体薄膜的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：基座，与所述腔体的外部连接；升降电机，设置于所述基座上，所述升降电机的输出轴与所述支撑杆连接。7.一种半导体薄膜的沉积方法，利用权利要求1至6中任一项所述的半导体薄膜的沉积设备实现，其特征在于，所述沉积方法包括如下步骤：将待加工晶圆传入腔体内，调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置；吸附所述待加工晶圆，开始薄膜沉积，并在沉积过程中根据需要调整所述加热盘位置，2CN113832449A权利要求书2/2页使所述加热盘能够与喷淋板处于任意角度；所述薄膜沉积结束后，所述加热盘恢复至初始位置，松开所述待加工晶圆；调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置，所述待加工晶圆传出所述腔体。8.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过晶圆升降机构调整所述待加工晶圆的位置，使所述待加工晶圆与加热盘同心放置。9.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过吸附机构吸附所述待加工晶圆。10.根据权利要求7所述的半导体薄膜的沉积方法，其特征在于，通过水平调节机构能够调整所述加热盘位置，使所述加热盘能够与喷淋板处于任意角度。3CN113832449A说明书1/6页半导体薄