避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114481239A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202210352640.3H01L21/48(2006.01)(22)申请日2022.04.06H05K3/06(2006.01)H05K3/18(2006.01)(71)申请人新恒汇电子股份有限公司地址255086山东省淄博市高新区中润大道187号(72)发明人任志军邵汉文张成彬于艳邢树楠(74)专利代理机构青岛发思特专利商标代理有限公司37212专利代理师耿霞(51)Int.Cl.C25D5/02(2006.01)C25D5/12(2006.01)C25D3/12(2006.01)C25D3/48(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图1页(54)发明名称避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺(57)摘要本发明属于柔性引线框架制备技术领域，具体涉及一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺。所述工艺流程为：先进行导电金属层背面电镀：导电金属层→第一次压干膜→第一次曝光→第一次显影→镀压焊面→第一次退膜；再进行导电金属层正面电镀：基材冲孔→贴导电金属层→烘烤→第二次压干膜→第二次曝光→第二次显影→蚀刻→第二次退膜→第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影→镀接触面→第三次退膜；其中，镀压焊面和镀接触面均为平面电镀。本发明将盲孔电镀转化为平面电镀，从根本上解决了柔性引线框架压焊孔电镀困难的问题，制备的柔性引线框架无漏镀情况发生。CN114481239ACN114481239A权利要求书1/2页1.一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：工艺流程为：（1）先进行导电金属层背面电镀：导电金属层→第一次压干膜→第一次曝光→第一次显影→镀压焊面→第一次退膜；（2）再进行导电金属层正面电镀：基材冲孔→贴导电金属层→烘烤→第二次压干膜→第二次曝光→第二次显影→蚀刻→第二次退膜→第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影→镀接触面→第三次退膜；其中，镀压焊面和镀接触面均为平面电镀；第一次显影的位置为导电金属层背面对应压焊孔的位置；第二次显影的位置为导电金属层正面非产品接触块的位置；第三次显影的位置为导电金属层正面对应产品接触块的位置。2.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第一次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜；第一次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光；第一次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。3.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第二次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜；第二次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置进行曝光；第二次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。4.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第三次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜；第三次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光；第三次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。5.根据权利要求2‑4任一项所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：压干膜工序的感光膜压合参数为：温度110±20℃，压力0.1‑0.5Mpa，速度1‑5m/min；曝光工序的曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10‑50mw/cm2，曝光时间为1‑10s；显影工序的弱碱性化学药水浓度10±5g/L，药水温度30±10℃，药水喷淋压力1‑2bar，设备的传输速度为1‑6m/min。6.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：基材冲孔工序的具体操作为：使用冲孔模具在基材特定位置冲裁贯穿基材厚度的通孔，冲孔位置与芯片上需要焊线的位置一一对应。7.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：贴导电金属层工序的具体操作为：使用热压机，将导电金属层的压焊面与已冲完孔的基材贴合，使2CN114481239A权利要求书2/2页基材冲孔位置与导电金属层已电镀的位置一一对应，热压到一起，形成复合板；热压温度120‑180℃，压力0.1‑0.5Mpa，速度1‑6m/min。8.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线