光伏装置制造方法.pdf
一条****杉淑
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光伏装置的制造方法及光伏装置.pdf
包含:第1工序,在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造;第2工序,在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜;第3工序,在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏,蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出,并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜,在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域;第4工序,除去所述蚀刻膏;以及第5工序,在所述露出的所
光伏装置制造方法.pdf
一种光伏装置制造方法揭露如下。提供一前基材以及一后基材。形成一光伏单元于前基材上。使用一封装材以封装光伏单元。粘贴一固态密封胶带于前、后基材其中之一,其中固态密封胶带在室温下是固态的。使用固态密封胶带及封装材将前基材与后基材固定在一起,使得光伏单元与封装材位于前、后基材与固态密封胶带所形成的封闭空间内。
光伏电池及其制造方法、光伏组件.pdf
本申请实施例涉及太阳能领域,提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件,光伏电池包括:基底;钝化层,位于基底一侧的表面上,沿垂直于基底指向钝化层的方向上,钝化层包括相邻的第一区和第二区;其中,第一区和第二区中掺杂有相同类型的掺杂元素,第二区具有远离基底的参考面,沿参考面的中心指向第一区的方向上,以及沿参考面的中心指向第二区内部的方向上,掺杂元素在第二区中的掺杂浓度均呈逐渐降低的趋势,且掺杂元素在第一区中的掺杂浓度小于等于在第二区中的最小掺杂浓度。本申请实施例至少有利于在降低第一区对光的吸收率的同时,提高钝化层
光伏电池及其制造方法、光伏组件.pdf
本申请实施例涉及太阳能领域,提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件,光伏电池包括:基底;第一减反射层,位于基底的一侧;第二减反射层,位于第一减反射层远离基底的一侧,第一减反射层包括第一氮氧化硅材料,第二减反射层包括第二氮氧化硅材料,沿垂直于第一减反射层指向第二减反射层方向的方向上,第一减反射层和第二减反射层中一者的氧元素和氮元素的含量比值呈增大趋势,另一者的氧元素和氮元素的含量比值呈减小趋势。本申请实施例至少有利于提高光伏电池对入射至光伏电池上的光的吸收率。
制造光伏器件的方法.pdf
一种制造单面接触式光伏器件(1)的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供光伏活性基板(3),其限定以平行条带布置的多个交替的空穴收集区(3a)和电子收集区(3b);b)跨所述区淀积导电层(5);c)淀积至少一个导电轨道(9),其沿所述区(3a、3b)中的各个区的至少一部分延伸;d)在所述区(3a、3b)中的各个区上选择性地形成电介质层(7),以在相邻区(3a、3b)之间的界面处留下无电介质的暴露区域;e)在所述暴露区域中蚀刻所述导电层(5);f)施加多个互连导线(11a、11b),以使所述空穴收集区(3a)