光伏装置的制造方法及光伏装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103875082103875082A(43)申请公布日2014.06.18(21)申请号201180074119.8(51)Int.Cl.(22)申请日2011.10.11H01L31/18(2006.01)H01L31/20(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L31/0224(2006.01)2014.04.10H01L31/0352(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L31/068(2012.01)PCT/JP2011/0733422011.10.11H01L31/0747(2012.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/054396JA2013.04.18(71)申请人三菱电机株式会社地址日本东京(72)发明人佐藤刚彦桧座秀一酒井雅太田成人松野繁(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人肖靖权权利要求书2页利要求书2页说明书13页说明书13页附图11页附图11页(54)发明名称光伏装置的制造方法及光伏装置(57)摘要包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。CN103875082ACN1038752ACN103875082A权利要求书1/2页1.一种光伏装置的制造方法，其特征在于，包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成了所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜而在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。2.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，所述第5工序包含：在包含所述凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第2导电型的半导体膜的工序；和在形成了所述第2导电型的半导体膜的所述凹部内部形成保护抗蚀剂，将所述保护抗蚀剂用作蚀刻掩模而在所述凹部内部残留所述第2导电型的半导体膜，并且蚀刻除去所述凸部上的所述第2导电型的半导体膜的工序。3.根据权利要求1或2所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，在所述第5工序之后，包含：在所述凸部上的所述第1导电型的半导体膜上形成电极的工序；和在所述凹部内部的所述第2导电型的半导体膜上形成电极的工序。4.根据权利要求1～3的任一项所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，所述凹部的深度在5μm～100μm的范围，蚀刻膏的涂敷厚度在所述凹部的深度以下。5.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，在所述第1工序中，形成2段凹部作为所述凹部，该2段凹部在第1凹部的底面部中的宽度方向的内侧形成了比所述第1凹部宽度窄的第2凹部，在所述第2工序中，在包含所述2段凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧，顺序形成第1导电型的半导体膜和第1透明导电膜，在所述第3工序中，在所述2段凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述2段凹部内部的所述第1导电型的半导体膜和所述第1透明导电膜而使所述2段凹部的表面露出，并且在所述凸部上残留所述第1导电型的半导体膜和所述第1透明导电膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域，在所述第5工序中，在包含所述2段凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧，形成第2导电型的半导体膜和第2透明导电膜，在所述第2凹部内部形成第1保护抗蚀剂，将所述第1保护抗蚀剂用作蚀刻掩模而在所述第2凹部内部残留所述第2透明导电膜，并且蚀刻除去所述第1凹部内部及所述凸部2CN103875082A权利