防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108428766A(43)申请公布日2018.08.21(21)申请号201810244014.6(22)申请日2018.03.23(71)申请人南通苏民新能源科技有限公司地址226300江苏省南通市通州湾江海联动开发示范区扶海路99号(72)发明人沈晶童锐王海超张满良吴廷斌(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224代理人董建林(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种防边缘漏电的晶硅电池机及其制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25-40μm。所制备的电池片包括位于四周边缘的耐高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的高度与硅基质层厚度相同，膜的厚度为25-40μm。本发明能够杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。CN108428766ACN108428766A权利要求书1/1页1.一种防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25-40μm。2.根据权利要求1所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括：将完成PECVD工序的若干片电池片上下重叠，之后将涂料涂覆在硅片四周的边缘，烘干后得到所需要的高温绝缘膜。3.根据权利要求2所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述的用于制备高温绝缘膜的涂料的组份包括硅酸盐溶液，云母片和氧化铝粉，通过将所述的氧化铝粉和云母片按质量比1:2～3:7的比例混合均匀后溶入浓度为0.0015～0.002mol/L的硅酸盐溶液中，充分搅拌后得到所需的高温绝缘涂料。4.根据权利要求3所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述的云母片的厚度为0.1～1μm，粒径小于15μm；所述的氧化铝粉的粒径为1～20nm。5.根据权利要求3所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述的涂料采用静电喷涂法、无气喷涂法或者空气辅助喷涂法的任意一种将涂料涂覆在硅片的边缘。6.根据权利要求1所述的防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，其特征在于：所制备的高温绝缘膜的耐高温温度大于1000℃。7.一种防边缘漏电的晶硅电池，所述电池片至上而下包括电极层、硅基质层和铝背场层，其特征在于：还包括位于电池片四周边缘的耐高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的高度与硅基质层厚度相同。8.根据权利要求7所述的一种防边缘漏电的晶硅电池，其特征在于：所述的铝背场层与所述的硅基质层的边缘完全重合。2CN108428766A说明书1/2页防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法技术领域[0001]本发明属于晶硅太阳能电池片制造领域，具体涉及一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。背景技术[0002]在晶硅太阳能电池片制造的丝网印刷工序中，由于电子浆料无法避免的会污染台面纸、网版、台面、轨道、夹具，因此在硅片的印刷、传输过程中或多或少会被电子浆料玷污，产生沿电池边缘的表面漏电流，影响转换效率，严重的造成热斑、漏电，影响良率和可靠性。同于为了减少边缘漏电，通常情况下铝背场离硅片边缘为0.5mm-1mm，如果小于0.5mm，在印刷的过程中，一旦印偏或者边缘玷污，将会造成过大的边缘漏电流过大，导致电池片短路。因此本发明设计了一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。发明内容[0003]针对上述问题，本发明提出一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法。[0004]实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：[0005]一种防边缘漏电的晶硅电池的制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25-40μm。[0006]作为本发明的进一步改进，将完成PECVD工序的若干片电池片上下重叠，之后将涂料涂覆在硅片四周的边缘，烘干后得到所需要的高温绝缘膜。[0007]作为本发明的进一步改进，所述的用于制备高温绝缘膜的涂料的组份包括硅酸盐溶液，云母片和氧化铝粉，通过将所述的氧化铝粉和云母片按质量比1:2～3:7的比例混合均匀后溶入浓度为0.0015～0.002mol/L的硅酸盐溶液中，充分搅拌后得到所需的高温绝缘涂料。[0008]作为本发明的进一步改进，所述的云母片的厚度为0.1～1μm，粒径小于15μm；所述的氧化铝粉的粒径为1～20nm。[0009]作为本发明的进一步改进，所述的涂料采用静电喷涂法、无气喷涂法或者空气辅助喷涂法的任意一种将涂料涂覆在硅片的边缘。[0010]作为本发明的进一步改进，所制备的高温绝缘膜的耐高温温度大于1000℃。[0011]根据以上所述方法制