一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112201703A(43)申请公布日2021.01.08(21)申请号202011216922.8(22)申请日2020.11.04(71)申请人山西潞安太阳能科技有限责任公司地址046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区(72)发明人姚猛王海超王琦(74)专利代理机构太原市科瑞达专利代理有限公司14101代理人李富元(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池生产领域。一种防边缘漏电的晶硅电池，在晶硅电池的每片电池片的周侧有一层25‑40μm的高温绝缘膜，该高温绝缘膜在1000摄氏度时具有稳定性。该防边缘漏电的晶硅电池制备方法为，在电池片制备正负电极前在硅片的周侧制备一层25‑40μm的高温绝缘膜，然后在制备正负电极。本发明所设计的晶硅电池的电池片利用四周形成的耐高温绝缘膜杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。CN112201703ACN112201703A权利要求书1/1页1.一种防边缘漏电的晶硅电池，其特征在于：在晶硅电池的每片电池片的周侧有一层25-40μm的高温绝缘膜，该高温绝缘膜在1000摄氏度时具有稳定性。2.一种权利要求1所述的防边缘漏电的晶硅电池制备方法，其特征在于：在电池片制备正负电极前在硅片的周侧制备一层25-40μm的高温绝缘膜，然后在制备正负电极。3.根据权利要求2所述的防边缘漏电的晶硅电池制备方法，其特征在于：在硅片的周侧制备高温绝缘膜的工艺步骤为步骤一、将完成镀减反射膜PECVD工艺的多片硅片上下叠在一起形成整齐的长方体块状的硅片叠块；步骤二、使用与硅片同样尺寸的平板材料将长方体状的硅片叠块最上一块硅片上表面和最下一片硅片的下表面覆盖并压紧；步骤三、采用静电喷涂法、无气喷涂法或者空气辅助喷涂法的任意一种方法，将高温绝缘涂料涂覆在长方体状的硅片叠块的周侧，形成25-40μm的高温绝缘膜层；步骤四、分开长方体状的硅片叠块，对每片硅片分别进行丝网印刷、烧结以及其它工艺完成电池片的制备。4.根据权利要求3所述的防边缘漏电的晶硅电池制备方法，其特征在于：高温绝缘涂料的制备方法为，将云母片和氧化铝粉按质量比1:2～3:7的比例混合后，溶于硅酸盐溶液中。5.根据权利要求4所述的防边缘漏电的晶硅电池制备方法，其特征在于：云母片为厚度0.1～1μm、粒径小于15μm的云母片，氧化铝粉粒径为1～20nm，硅酸盐溶液的浓度为0.0015～0.002mol/L。2CN112201703A说明书1/2页一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池生产领域。背景技术[0002]在晶硅太阳能电池片制造的丝网印刷工序中，由于电子浆料无法避免的会污染台面纸、网版、台面、轨道及夹具，因此在硅片的印刷、传输过程中或多或少会被电子浆料玷污，产生沿电池边缘的表面漏电流，影响转换效率，严重的造成热斑、漏电，影响良率和可靠性。为了减少边缘漏电，通常情况下铝背场离硅片边缘为0.5mm-1mm，如果小于0.5mm，在印刷的过程中，一旦印偏或者边缘玷污，将会造成边缘漏电流过大，导致电池片短路。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是：如何避免在丝网印刷工序中造成的硅片边缘漏电问题。[0004]本发明所采用的技术方案是：一种防边缘漏电的晶硅电池，在晶硅电池的每片电池片的周侧有一层25-40μm的高温绝缘膜，该高温绝缘膜在1000摄氏度时具有稳定性。[0005]一种防边缘漏电的晶硅电池制备方法，在电池片制备正负电极前在硅片的周侧制备一层25-40μm的高温绝缘膜，然后在制备正负电极。[0006]在硅片的周侧制备高温绝缘膜的工艺步骤为步骤一、将完成镀减反射膜PECVD工艺的多片硅片上下叠在一起形成整齐的长方体块状的硅片叠块；步骤二、使用与硅片同样尺寸的平板材料将长方体状的硅片叠块最上一块硅片上表面和最下一片硅片的下表面覆盖并压紧；步骤三、采用静电喷涂法、无气喷涂法或者空气辅助喷涂法的任意一种方法，将高温绝缘涂料涂覆在长方体状的硅片叠块的周侧，形成25-40μm的高温绝缘膜层；步骤四、分开长方体状的硅片叠块，对每片硅片分别进行丝网印刷、烧结以及其它工艺（采用现有技术）完成电池片的制备。[0007]高温绝缘涂料的制备方法为，将云母片和氧化铝粉按质量比1:2～3:7的比例混合后，溶于硅酸盐溶液中。[0008]云母片为厚度0.1～1μm、粒径小于15μm的云母片，氧化铝粉粒径为1～20nm，硅酸