内容提供者
一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法.pdf
2023-06-26
10金币
372KB
8页
Ja****20
实名认证
内容提供者
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。生产钝化接触晶硅电池步骤中首先进行切割步骤，将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本发明提供的一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法，将对电池的切割工序优化改变成对硅片的切割，设置到钝化接触电池生产工序之前，从根源上解决了电池片的切割损失。通过背面处理工艺步骤和正面钝化及背面钝化等步骤对切割面进行化学腐蚀修复和钝化修复，使得切割面被包裹在钝化层中，杜绝与空气的接触，解决了边缘切割损失，避免了电池少子
2023-06-26
10
372KB
一种防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法.pdf
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种防边缘漏电的晶硅电池，在晶硅电池的每片电池片的周侧有一层25‑40μm的高温绝缘膜，该高温绝缘膜在1000摄氏度时具有稳定性。该防边缘漏电的晶硅电池制备方法为，在电池片制备正负电极前在硅片的周侧制备一层25‑40μm的高温绝缘膜，然后在制备正负电极。本发明所设计的晶硅电池的电池片利用四周形成的耐高温绝缘膜杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。
2023-06-26
10
233KB
防边缘漏电的晶硅电池及其制备方法.pdf
本发明公开了一种防边缘漏电的晶硅电池机及其制备方法，包括在电池片的边缘涂覆一层高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的膜厚厚度25‑40μm。所制备的电池片包括位于四周边缘的耐高温绝缘膜，所述的高温绝缘膜的高度与硅基质层厚度相同，膜的厚度为25‑40μm。本发明能够杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。
2023-06-26
10
309KB
钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置.pdf
本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括：S1、对硅片进行预处理，以在硅片表面形成介质层；S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中，并在PVD工艺腔内通入气体，以在介质层上制备掺杂非晶硅层；其中，靶材的个数为n，n≥2，n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材，其余靶材均为含掺杂源靶材，每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同；靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放；掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层，两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同；S
2023-06-15
10
481KB
一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法.pdf
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法；所述制备方法包括以下步骤：以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光（或者制绒处理），硅片采用PECVD设备，在背面生长隧穿氧化硅薄膜和掺杂的p型非晶硅薄膜，采用PECVD设备，在背面沉积硼硅玻璃BSG薄膜，在KOH溶液中进行制绒处理，在电池正面形成金字塔结构，扩散炉，钝化层生长；丝网印刷、烧结，本发明中通过将非晶硅的高温晶化过程与标准磷扩散工艺在扩散管中一步完成，优化了工艺流程，减少了工艺步骤，从而极大的提高了产能，降低了污染的风
2023-06-17
10
269KB