晶硅电池的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775851A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211373004.5(22)申请日2022.11.03(71)申请人隆基绿能科技股份有限公司地址710100陕西省西安市长安区航天中路388号(72)发明人马志杰袁陨来王建波周锐(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319专利代理师葛珊杉(51)Int.Cl.H01L31/20(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/0224(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图4页(54)发明名称晶硅电池的制备方法(57)摘要本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，该制备方法包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触。CN115775851ACN115775851A权利要求书1/2页1.一种晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，所述半导体基底具有相背的正面以及背面；对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，所述掩膜图案露出部分所述隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被所述掩膜图案遮挡的所述隧穿钝化层，以露出部分所述半导体基底，并利用所述刻蚀液对露出的所述半导体基底进行抛光；在所述半导体基底的背面形成保护层，所述保护层覆盖所述掩膜图案以及露出的所述半导体基底；在所述半导体基底的正面进行制绒；去除所述保护层，并在所述半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在所述半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体基底接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述隧穿钝化层接触。2.根据权利要求1所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在半导体基底的背面上形成隧穿钝化层，包括：在所述半导体基底的背面上依次形成所述隧穿氧化层和所述掺杂硅层；其中，所述掺杂硅层包括掺杂非晶硅。3.根据权利要求2所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体基底的背面形成保护层，包括：对形成有所述掺杂硅层和所述隧穿氧化层的半导体基底进行退火，以使所述掺杂非晶硅转换为掺杂多晶硅，且激活所述掺杂多晶硅，并在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层；在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层之后，在所述半导体基底的正面进行制绒之前，所述制备方法还包括：去除所述半导体基底的正面的第二保护层。4.根据权利要求3所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述对形成有所述掺杂硅层和所述隧穿氧化层的半导体基底进行退火的退火温度范围为850度‑950度。5.根据权利要求1所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液中的至少一种。6.根据权利要求1所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液的刻蚀温度范围为70度‑90度；和/或，所述刻蚀液的刻蚀时间范围为180秒‑400秒。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在半导体基底的背面上形成掩膜层，包括：利用化学气相沉积设备，在所述半导体基底的背面上形成所述掩膜层。8.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层，包括：利用化学气相沉积设备，在所述半导体基底的背面上依次形成所述隧穿钝化层以及所述掩膜层。2CN115775851A权利要求书2/2页9.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案，包括：利用激光去除部分所述掩膜层，以形成掩膜图案。10.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述保护层，包括：去除所述保护层以及所述掩膜图案。11.根据权利要求1‑6中任一项所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为氧化硅，所述掩膜层的厚度范围为15纳米‑25纳米。3CN115775851A说明书1/13页晶硅电池的制备方法技术领域[0001]本申请涉及晶硅电池的制备方法技术领域，具体涉及一种晶硅电池的制备方