一种GaAs基LED灯珠的封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111987205A(43)申请公布日2020.11.24(21)申请号201910427152.2(22)申请日2019.05.22(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司地址261061山东省潍坊市市辖区高新区金马路9号(72)发明人李晓明任忠祥王成新(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司37219代理人赵龙群(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/54(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种GaAs基LED灯珠的封装方法(57)摘要本发明涉及一种GaAs基LED灯珠的封装方法，属于光电子领域，包括：在GaAs衬底上生长GaAs基发光二极管芯片外延层，并通过常规方法制备P电极及N电极；对芯片进行P面切割，在P电极四周形成条形切割道，切割道未将芯片完全分割开；将N面与带磁性的封装金属基板通过导电银胶粘合在一起；将芯片沿切割道完全切割，将封装金属基板与封装支架磁吸相连；使用金属丝将P电极与封装支架的正极相连，再在封装金属基板的四周包覆灌装封装用环氧树脂胶；封装支架放入烘箱中使胶加热固化，得到封装完成的GaAs基发光二极管芯片灯珠。本发明操作简单、杜绝了导电银胶覆盖在GaAs基发光二极管芯片侧面外延层上产生灯珠漏电的情况。CN111987205ACN111987205A权利要求书1/1页1.一种GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在GaAs衬底上生长GaAs基发光二极管芯片外延层，并通过常规方法制备发光二极管芯片的P电极及N电极；(2)对步骤(1)制得的GaAs基发光二极管芯片进行P面切割，在P电极四周形成条形切割道，所述切割道周期与P电极的周期一致且切割道未将GaAs基发光二极管芯片完全分割开，对切割的芯片进行常规测试得到芯片光电参数；(3)将步骤(2)未分割开的GaAs基发光二极管芯片的N面与带磁性的封装金属基板粘合在一起，其粘合方法为：在封装金属基板上涂覆上导电银胶，将未分割开的发光二极管芯片的N面直接放置在导电银胶上，并使用烘箱烘烤使得导电银胶固化，实现发光二极管N面与封装金属基板的连接；(4)将步骤(3)制得的GaAs基发光二极管芯片沿切割道完全切割开且将封装金属基板也完全切割开，将GaAs基发光二极管芯片放在封装支架上，使得封装金属基板与封装支架相连，所述封装支架为金属材料，通过磁性吸附实现连接；(5)使用金属丝将发光二极管芯片的P电极与封装支架的正极相连，再在封装金属基板与封装支架接触的四周包覆灌装封装用环氧树脂胶；将封装支架放入烘箱中加热，使环氧树脂胶固化，得到封装完成的GaAs基发光二极管芯片灯珠。2.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(2)中切割深度为1/4芯片厚度-1/3芯片厚度。3.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(2)中切割道的宽度为20-30μm。4.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(3)中带磁性的封装金属基板的厚度为20-40μm。5.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(3)中烘箱烘烤的温度为180-220℃，烘烤时间为40-60分钟。6.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(5)中烘箱温度为150-180℃，烘烤时间为90-120分钟。7.根据权利要求1所述的GaAs基LED灯珠的封装方法，其特征在于，步骤(5)中金属丝为金丝或铝丝。2CN111987205A说明书1/4页一种GaAs基LED灯珠的封装方法技术领域[0001]本发明涉及一种GaAs基LED灯珠的封装方法，属于光电子技术领域。背景技术[0002]LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。[0003]上世纪50年代，在IBMThomasJ.WatsonResearchCenter为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光