采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113725106A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202111005344.8(22)申请日2021.08.30(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人韩国庆吴姗姗朱一鸣成剑钧曹秀亮(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人周耀君(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术(57)摘要本发明提供了一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术，包括：在衬底上分别形成芯片结构、位于芯片结构周围的切割道以及位于切割道两侧的沟槽，芯片结构包括依次位于所述衬底上的金属pad和钝化层，钝化层露出部分所述金属pad；在钝化层和金属pad上形成第一介质层，第一介质层露出部分金属pad，第一介质层填充靠近芯片结构的沟槽；在第一介质层和金属pad上形成重分布层；在重分布层上形成第二介质层，第二介质层露出部分重分布层；在重分布层上形成锡球。本发明可以减少甚至杜绝重分布层在沟槽上方或附近出现金属多镀的情况发生，从而减少甚至杜绝重分布层出现外观问题或者电性问题的情况发生。CN113725106ACN113725106A权利要求书1/1页1.一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上分别形成芯片结构、位于所述芯片结构周围的切割道以及位于所述切割道两侧的沟槽，所述芯片结构包括依次位于所述衬底上的金属pad和钝化层，所述钝化层露出部分所述金属pad；在所述钝化层和金属pad上形成第一介质层，所述第一介质层露出部分所述金属pad，所述第一介质层填充靠近所述芯片结构的沟槽；在所述第一介质层和金属pad上形成重分布层；在所述重分布层上形成第二介质层，所述第二介质层露出部分所述重分布层；以及在所述重分布层上形成锡球。2.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，在所述第一介质层和金属pad的中间部分的表面上形成重分布层的方法包括：在所述第一介质层和金属pad上形成第一种子层；在所述第一种子层上形成图案化的第一光刻胶层；在所述图案化的第一光刻胶层未覆盖的第一种子层上进行金属布线，以形成第一金属层；以及去掉所述图案化的第一光刻胶层以及所述图案化的第一光刻胶层覆盖的第一种子层。3.如权利要求2所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，形成所述图案化的第一光刻胶层的方法包括：在所述第一种子层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；以及图案化所述第一光刻胶层并对所述第一光刻胶层进行烘烤，以形成所述图案化的第一光刻胶层。4.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述第一介质层的光罩覆盖靠近所述芯片结构的沟槽。5.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材料为聚合物。6.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，在形成锡球之前，还包括：在所述重分布层上形成球下金属层。7.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述第二介质层露出的部分所述重分布层的位置位于所述钝化层上。8.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述金属pad覆盖部分所述衬底。9.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述钝化层露出的部分所述金属pad为所述金属pad的中间部分。10.如权利要求9所述的晶圆级芯片封装技术，其特征在于，所述金属pad为圆形或者方形，所述钝化层围绕所述金属pad的周围形成并且覆盖所述金属pad的边缘部分。2CN113725106A说明书1/5页采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术，尤其是涉及一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术。背景技术[0002]晶圆级芯片封装(WLCSP)是一种半导体芯片封装工艺。在晶圆级芯片封装工艺中，需要对芯片在切割道中进行切割，将多个芯片分割成单芯片，而切割道一般位于芯片周围。由于切割道主要是由氧化物(包含WAT的测试PAD内的主要组成部分)例如二氧化硅形成，切割时产生的机械力容易震动到芯片，严重时可能造成芯片破裂，造成芯片的损坏，因此，在切割道的两侧各做一个沟槽，使得在切割氧化物时，沟槽可以阻止切割产生的机械力，从而保护芯片不被机械力震坏。[0003]然而，在晶圆级芯片封装的过程中，其中一个步骤是重分布层(RDLLayer)的形成，重分布层形成的步骤需要借助于图案化的光刻胶形成金属层，而在形成图案化的光刻胶时需要对光