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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103958140103958140A(43)申请公布日2014.07.30(21)申请号201280057521.XB23D45/04(2006.01)(22)申请日2012.09.19B23D47/02(2006.01)B23D47/04(2006.01)(30)优先权数据B23D51/10(2006.01)11182589.92011.09.23EPB23D59/00(2006.01)11190570.92011.11.24EPB27B5/16(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B27B5/29(2006.01)2014.05.22B27B7/00(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据B27B7/04(2006.01)PCT/IB2012/0549722012.09.19B28D1/04(2006.01)E21B10/02(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/042055EN2013.03.28(71)申请人梅耶博格公司地址瑞士图恩阿尔门兹大街86号(72)发明人梅耶德·克里斯特扎内蒂·于尓格(74)专利代理机构北京市维诗律师事务所11393代理人杨安进(51)Int.Cl.B28D5/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书12页说明书12页附图7页附图7页(54)发明名称用于晶片切割的晶片切割牺牲基板(57)摘要本发明涉及一种具有用来夹持一块材料(3)例如锭材、块材或棒的安装面(2)的牺牲基板(1),用来将材料(3)切割成多个晶片,该牺牲基板(1)的弹性模量小于6000MPa,较佳为小于5000MPa,更佳为小于4000MPa。本发明还涉及一种由一块材料(3)例如锭材、块材或棒材制造多个晶片的方法,该方法包括以下步骤:将一块材料(3)安装到牺牲基板(1)上,较佳为使用胶粘;将安装有材料(3)的牺牲基板(1)安装到切割设备上;将材料(3)切割为多个晶片。CN103958140ACN1039584ACN103958140A权利要求书1/1页1.一种具有用来夹持锭材、块材或棒材的安装面(2)的晶片切割牺牲基板(1),该晶片切割牺牲基板(1)用来将所述锭材、块材或棒材使用线锯切割为多个晶片(4),其中所述晶片切割牺牲基板(1)具有小于6000MPa的弹性模量,较佳为小于5000Mpa,更佳为小于4000Mpa。2.根据权利要求1所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由多孔材料制成。3.根据权利要求2所述晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)的孔隙度大于0.15(或15%),较佳为大于0.30(或30%),更佳为大于0.40(或40%)。4.根据权利要求2或3所述晶片切割牺牲基板,其中所述多孔材料为一种泡沫材料,较佳为聚合物泡沫。5.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由吸水率小于2%的聚合物材料制造,较佳为吸水率小于1.5%,更佳为小0.7%(依据DIN53495,24小时,23℃蒸馏水浸泡)。6.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)的热变形温度大于50℃,较佳为大于60℃,更佳为大于70℃。7.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由热固性塑料制造。8.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由泡沫材料或包含泡沫材料的材料制造,例如聚合物泡沫、泡沫陶瓷或泡沫金属。9.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由聚氨酯或包含聚氨酯的材料制造。10.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由聚氨酯泡沫材料制造,并且该聚氨酯泡沫的吸水率以小于2%为佳,以小于0.7%为更佳。11.根据前述任一权利要求所述的晶片切割牺牲基板,其中所述晶片切割牺牲基板(1)由聚氨酯泡沫材料制造,并且该聚氨酯泡沫的吸水率以大于0.1%为佳。12.一种由锭材、块材或棒材制造多个晶片的方法,该方法包括以下步骤:将该锭材、块材或棒材通过粘接的方式安装到晶片切割牺牲基板(1)上;将安装有该锭材、块材或棒材的晶片切割牺牲基板(1)安装到切割设备(5)之上,其中所述切割设备(5)为线锯;通过将该锭材、块材或棒材移动穿过该丝锯的线网将该锭材、块材或棒材切割为多个晶片,其中所述晶片切割牺牲基板(1)为前述任一权利要求中所述的晶片切割牺牲基板(1)。13.根据权利要求12所述的由锭材、块材或棒材制造多个晶片的方法,其中所述将安装晶片切割牺牲基板(1)安装到切割设备(5