用于晶片切割的晶片切割牺牲基板.pdf
一条****涛k
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相关资料
用于晶片切割的晶片切割牺牲基板.pdf
本发明涉及一种具有用来夹持一块材料(3)例如锭材、块材或棒的安装面(2)的牺牲基板(1),用来将材料(3)切割成多个晶片,该牺牲基板(1)的弹性模量小于6000MPa,较佳为小于5000MPa,更佳为小于4000MPa。本发明还涉及一种由一块材料(3)例如锭材、块材或棒材制造多个晶片的方法,该方法包括以下步骤:将一块材料(3)安装到牺牲基板(1)上,较佳为使用胶粘;将安装有材料(3)的牺牲基板(1)安装到切割设备上;将材料(3)切割为多个晶片。
切割半导体晶片的方法、从半导体晶片切割的芯片以及从半导体晶片切割的芯片的阵列.pdf
一种切割半导体晶片的方法,包括:在该晶片的背面主表面中切割基准槽;在该背面主表面中切割背槽,该背槽相对该基准槽定位;确定所需的芯片边缘相对该基准槽的位置;以及在某个路径中施加辐射能量,从而在该晶片内沿该路径形成一系列改造区域。该晶片的晶体结构在这一系列改造区域中被改变,并且该激光的边缘相对该芯片边缘的所需位置对齐且与该背槽对齐。该方法包括沿这一系列改造区域将该晶片分开成在这一系列改造区域任一侧上的该晶片的分割区域。
晶片切片机导轮及晶片切割方法.pdf
本发明涉及一种太阳能用硅晶片的生产设备及晶片切割方法,是一种用来将硅单晶棒料切割为晶片的切片机的部件,具体是一种晶片切片机导轮及使用该导轮切割晶片的方法。本发明的晶片切片机导轮包括有圆柱状的轮体和排布在导轮外圆柱面上的螺旋形导槽,由导轮的前端至后端,相邻导槽的间距逐渐减小。本发明的效果体现在:利用切割线在切割过程中的变化,最大限度地提高晶片切割的经济性。由于切割线在依次绕过各导槽并切割棒料的过程中其直径因切割磨损而逐渐减小,设置在导轮上的导槽配合切割线直径的减小而间距逐渐缩小,这样使得单位长
半导体晶片切割工艺.pdf
本申请涉及一种半导体晶片切割工艺。该工艺包括用聚合物涂层涂布半导体晶片,将该晶片安置在胶带上且将该带安装在晶片框架上。该工艺进一步包括在该聚合物涂层内形成划割线以暴露晶片区,从而形成预处理产品。随后将该晶片框架安置在工艺腔室内的支撑物上,并且将框架盖安置在该晶片框架上方。该工艺进一步包括对该预处理产品进行等离子体蚀刻以去除该晶片的暴露区以分离该单个裸片。从该晶片框架上方去除该框架盖,并且将该经处理产品、晶片框架和胶带暴露于氧等离子体,以部分地去除该聚合物涂层的最外区,以在该单个裸片上留下残余聚合物涂层,从
半导体晶片切割工艺.pdf
本发明提供一种半导体晶片切割工艺,涉及晶片切割技术领域,切割工艺包括如下步骤:S1.对激光切割器的切割深度进行预调试;S2.以晶片具有蚀刻沟槽的一面为正面,将晶片正面或反面朝上放置于切割台上,对晶片的切割位置进行调整后将晶片定位;S3.使用激光器切割晶片该面;S4.翻转晶片,调整晶片的切割位置,并将晶片定位;S5.使用激光器切割晶片翻转面;S6.使用显微镜观测检验晶片的切割总深度为预留沟槽处厚度的3/1~3/2,即达到切割标准。本发明的工艺使晶片切割深度达到标准,并确保了切割均匀度,提高了裂片效果以及晶粒