图形化硬掩膜层制备方法、电容器阵列结构及其制备方法.pdf
邻家****66
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图形化硬掩膜层制备方法、电容器阵列结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种图形化硬掩膜层制备方法、电容器阵列结构及其制备方法。提供一硬掩膜层,并在其上依次沉积第一有机材料层和第二有机材料层,先后沿第一方向和第二方向延伸部分刻蚀第二有机材料层;然后沉积硬掩膜薄层于刻蚀后的第二有机材料层的侧壁,以刻蚀后的第二有机材料层及硬掩模薄层为掩膜刻蚀第一有机材料层直至显露出硬掩模层,在第一有机材料层上形成具有蜂巢式排布的窗口的图形。本发明的技术方案,显著提高了电容孔密度,因此在相同的尺寸下,可以提供更多电容器。对于相同电容器数量,本发明中的芯片尺寸更小,进而有利于实现器件尺寸的
掩膜板结构及其制备方法.pdf
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一种阵列基板膜层结构及其制备方法.pdf
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一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法.pdf
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硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法.pdf
本发明提供一种硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法,通过使用氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层,避免现有低K介质刻蚀技术中无机TixFy残留物的形成,且氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层易于移除,从而抑制了后续铜电镀工艺中的孔洞缺陷的形成,改善了器件电迁移和和可靠性,提高了产品良率;进一步的,通过刻蚀后的氮气处理工艺在低K介质层的刻蚀内壁上形成阻挡层,缓和了低K介质层和氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层的湿法腐蚀选择比差异,避免低K介质层在湿法腐蚀移除氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层时受损,有效增大低K介质层的刻蚀后的工艺窗口。