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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111199875A(43)申请公布日2020.05.26(21)申请号201811366169.3(22)申请日2018.11.16(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图11页(54)发明名称图形化硬掩膜层制备方法、电容器阵列结构及其制备方法(57)摘要本发明提供一种图形化硬掩膜层制备方法、电容器阵列结构及其制备方法。提供一硬掩膜层,并在其上依次沉积第一有机材料层和第二有机材料层,先后沿第一方向和第二方向延伸部分刻蚀第二有机材料层;然后沉积硬掩膜薄层于刻蚀后的第二有机材料层的侧壁,以刻蚀后的第二有机材料层及硬掩模薄层为掩膜刻蚀第一有机材料层直至显露出硬掩模层,在第一有机材料层上形成具有蜂巢式排布的窗口的图形。本发明的技术方案,显著提高了电容孔密度,因此在相同的尺寸下,可以提供更多电容器。对于相同电容器数量,本发明中的芯片尺寸更小,进而有利于实现器件尺寸的缩减。CN111199875ACN111199875A权利要求书1/2页1.一种图形化硬掩膜层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一硬掩膜层,依次沉积第一有机材料层和第二有机材料层于所述硬掩膜层上;沿第一方向延伸部分刻蚀所述第二有机材料层,在所述第二有机材料层上形成间隔排布的条状凸起部和条状凹入部;沿第二方向延伸部分刻蚀所述条状凸起部,同时刻蚀所述条状凹入部直至显露出所述第一有机材料层;沉积硬掩膜薄层于部分刻蚀后的所述条状凸起部及刻蚀后的所述条状凹入部的侧壁,以所述硬掩膜薄层、刻蚀后的所述条状凸起部及刻蚀后的所述条状凹入部为掩膜刻蚀所述第一有机材料层直至显露出所述硬掩膜层,在所述第一有机材料层中形成具有蜂巢式排布的窗口图形。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,沿第二方向延伸部分刻蚀所述条状凸起部还包括以下步骤:在所述条状凸起部和所述条状凹入部上方沉积第三有机材料层;沿第二方向延伸刻蚀所述第三有机材料层并部分蚀刻所述条状凸起部,同时刻蚀所述条状凹入部直至显露出所述第一有机材料层,在所述第二有机材料层上形成第一柱状凸起部和第二柱状凸起部。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤沉积硬掩膜薄层于部分刻蚀后的所述条状凸起部及刻蚀后的所述条状凹入部的侧壁,以所述硬掩膜薄层、刻蚀后的所述条状凸起部及刻蚀后的所述条状凹入部为掩膜刻蚀所述第一有机材料层直至显露出所述硬掩膜层,在所述第一有机材料层中形成具有蜂巢式排布的窗口图形,还包括以下步骤:在所述第一柱状凸起部和第二柱状凸起部的表面及侧壁上沉积硬掩膜薄层;刻蚀去除所述第一柱状凸起部表面的硬掩膜薄层,继续刻蚀所述第一柱状凸起部直至显露所述第一有机材料层;刻蚀去除所述第二柱状凸起部表面的所述硬掩膜薄层,保留侧壁上的硬掩膜薄层;以所述第二柱状凸起部及剩余的硬掩膜薄层为掩膜,刻蚀所述第一有机材料层直至显露出所述硬掩膜层,在所述第一有机材料层中形成具有蜂巢式排布的窗口图形。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,刻蚀去除所述第一柱状凸起部表面的硬掩膜薄层之前还包括以下步骤:在沉积的所述硬掩膜薄层的上方沉积填充材料,直至所述填充材料高出所述第一柱状凸起部;刻蚀所述填充材料及所述硬掩膜薄层材料至所述第一柱状凸起部停止;去除剩余的所述填充材料;以剩余的所述硬掩膜薄层为掩膜刻蚀所述第一柱状凸起部至所述第一有机材料层停止。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硬掩模层包括二氧化硅,所述硬掩模层的厚度介于250nm~350nm。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一有机材料层包括厚度介于70nm~100nm的含碳材料,所述第二有机材料层包括厚度介于70nm~100nm的氮氧化硅。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在沿第一方向延伸部分刻蚀所述第二2CN111199875A权利要求书2/2页有机材料层的步骤中,刻蚀掉的所述第二有机材料层的厚度介于30nm~50nm。8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在沿第二方向延伸部分刻蚀所述第二有机材料层的步骤中,刻蚀掉的所述第二有机材料层的厚度介于30nm~50nm。9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用原子沉积方式沉积所述硬掩膜薄层,所述硬掩膜薄层包括厚度介于2nm~8nm的氮化硅。10.根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法,