一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法.pdf
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一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法.pdf
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域,特别涉及一种新型阵列基板膜层结构及其制备方法,包括玻璃基板,玻璃基板的一侧面的正常区上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极金属层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层,通过设置第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层,且正常区的第一栅极金属层、第一源漏极金属层和第一阳极层均采用夹层结构,这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗;而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致,改善了现有屏下摄像头终
一种阵列基板膜层结构及其制备方法.pdf
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域,特别涉及一种阵列基板膜层结构及其制备方法,包括玻璃基板,玻璃基板的一侧面的增透区上依次层叠设有第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极导电层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层,通过设置第一栅极导电层、第一源漏极导电层和第一阳极层,且第一栅极导电层、第一源漏极导电层和第一阳极层的材质均为透明导电材料,这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗;而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致,改善了现有屏下摄像头终端设
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本发明提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括:基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层,其中所述平坦层上设置有第一过孔;其特征在于,所述漏极上设置有一开孔,所述开孔与所述第一过孔上下相通,所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。通过在所述漏极中间设置所述开孔,所述像素电极层不止底部与所述漏极连接,所述像素电极层侧部分侧壁亦可通过所述开孔与所述漏极相连,可以有效的增大所述漏极与所述像素电极的接触面积,降低接触电阻,
一种阵列基板及其制备方法.pdf
本申请提供一种阵列基板及其制备方法,本申请的阵列基板上形成有钝化层、金属层以及光刻胶,采用半色调掩膜工艺进行光刻制程,在形成钝化层过孔后,仅保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的光刻胶,形成光刻胶图块;接着蚀刻金属层以形成位于光刻胶图块下方的金属图块,其中光刻胶图块与金属图块的组合形成底切结构;在制备顶电极膜层时,顶电极膜层需要被去除掉的部分形成于光刻胶图块表面,需要保留的部分无需使用光罩便可直接形成于钝化层上从而形成预设图案的顶电极层,之后剥离光刻胶图块以及金属图块,与此同时顶电极膜层需要被去除
一种阵列基板及其制备方法.pdf
本申请提供一种阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括基板;开关薄膜晶体管,阵列的设置于所述基板上;感光薄膜晶体管,设置于所述基板上;所述开关薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管同层且间隔设置;其中,所述开关薄膜晶体管包括位于所述基板上的第一半导体层和遮光层;所述感光薄膜晶体管包括位于基板上的第二半导体层。本申请通过采用同一道光罩制程制备所述遮光层、所述第一半导体层以及所述第二半导体层,减少了阵列基板的制作流程,降低使用现有技术的生产成本以及提高产能效益;同时,保留所述第一半导体层上方的遮光层,在保证了所述开关薄