一种石墨烯/镍钴磷化物薄膜的制备方法及应用.pdf
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一种石墨烯/镍钴磷化物薄膜的制备方法及应用.pdf
本发明中公开了一种石墨烯/镍钴磷化物薄膜的制备方法。本发明同时提供上述制备方法制备得到的石墨烯/镍钴磷化物薄膜及其在电解水自支撑电极材料中的应用。本发明制备的石墨烯/镍钴磷化物电极材料中,石墨烯表面褶皱少、结构缺陷少、石墨烯片层紧密堆积,有效提高石墨烯薄膜的柔性、力学及电学性能,有利于电解水过程中电子快速的传输;而蜂窝状结构的镍钴磷化物不仅为电解液的快速浸润提供了基础,而且大大增加了电解水化学活性位点,使得气体分子能够及时逸出,从而进一步提高了其电解水性能。
一种制备石墨烯薄膜的装置、方法及所得石墨烯薄膜.pdf
本发明涉及一种通过化学气相沉积法(CVD法)连续制备石墨烯薄膜的装置,其主要由进样室、炉管和出样室组成,生长室高温生长区将一直保持高温生长温度,不用等待升降温的过程,并解决了样品在高温区的传动问题,可以进行不间断的生长,从而大幅度提高用化学气相沉积(CVD)方法制备石墨烯薄膜的产量。
一种镍基上制备亲水性石墨烯薄膜的方法.pdf
一种镍基上制备亲水性石墨烯薄膜的方法,包括多晶镍箔表面清洗、表明活化处理、化学气相沉积步骤。其中化学气相沉积是将处理后的多晶镍箔放入真空炉中抽真空后加热并通入氩气;在炉内温度到达800℃时通入氢气,氢气流量控制为100~300sccm;在炉内温度到达950℃时通入碳源气体,碳源气体流量为2~6sccm;待石墨烯薄膜在多晶镍箔上生长5~10min后关闭氢气与碳源气体;控制炉内冷却速率为5~15℃/min,待温度降至700℃时二次升温;温度升至980℃开始通入碳源气体,碳源气体流量为1~4sccm;待石墨烯薄
一种镍钴钨磷化物催化剂及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种镍钴钨磷化物催化剂及其制备方法和作为析氢催化剂的应用。所述制备方法包括步骤:(1)采用介质阻挡放电对三维骨架结构的镍钴合金泡沫进行等离子体表面预处理;(2)将预处理后的镍钴合金泡沫加入到钨酸钠溶液中,于120~210℃下进行水热反应,反应结束后清洗、干燥得到镍钴钨氧化物催化剂;(3)将所得镍钴钨氧化物催化剂置于管式炉中进行磷化,冷却得到八面体状镍钴钨磷化物催化剂。本发明不仅可有效解决传统制备过程中残留金属盐离子对环境的污染以及电化学稳定性较差等问题,还可降低成本,提高电极材料的稳定性,极具
一种磷化镍纳米薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种磷化镍纳米薄膜的制备方法,步骤如下:(1)将泡沫镍清洗后干燥;(2)将步骤(1)中清洗干燥后的泡沫镍作为阳极,用直流稳定电源,在草酸溶液中,进行阳极氧化;得到草酸镍@泡沫镍;(3)将步骤(2)制备的草酸镍@泡沫镍放在管式炉的中间,将次亚磷酸钠放在管式炉下游,在惰性气体气流下,设置控温程序为:升温速率2~4℃/min,至380~450℃后,维持2~4h,然后自然冷却至室温,得到磷化镍纳米薄膜。本发明先用阳极氧化,再经过低温磷化的方法制备了磷化镍纳米薄膜,与其它方法相比,本发明在制备过程中,没