制备多孔硅基底氧化钨纳米薄膜气敏传感器的方法.pdf
灵慧****89
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制备多孔硅基底氧化钨纳米薄膜气敏传感器的方法.pdf
本发明公开了一种制备多孔硅基底WO3纳米薄膜气敏传感器的方法,步骤为:(1)制备多孔硅层基底;(2)制备多孔硅基底WO3纳米薄膜;(3)将制得的多孔硅基底WO3纳米薄膜置于400~600℃高温加热炉内;(4)再将制得的WO3纳米薄膜置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室镀电极,制得多孔硅基底WO3纳米薄膜气敏传感器。本发明提供了一种易于控制、工艺简单的制备多孔硅基底WO3纳米薄膜气敏传感器的方法,该气敏传感器工作温度低(室温),灵敏度高。
用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法.pdf
本发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法,首先采用p型单晶硅作为基底,利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层;再以金属钨作为耙材,利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜;最后,在水平管式炉中,以氩气作为工作气体,氧气作为反应气体,600~750℃条件下,制得多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的气敏材料。本发明降低了制备氧化钨纳米线生长温度,显著提高了复合结构气敏材料的比表面积,在150℃的条件下对2ppm?NO2的灵敏度为4.76,具有制备工艺简单,易于控制,成本低廉以及对
一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法.pdf
本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法:首先采用单面抛光的p型单晶硅基片为硅基片衬底,超声清洗;再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片表面制备多孔硅层,腐蚀电解液由40%的氢氟酸与二甲基甲酰胺组成;再将高纯度钨粉置于水平管式炉中央,并将多孔硅置于管式炉出气口方向、距钨粉12~16cm处,真空条件下,通入氩氧混合气体,于950~1200℃,制得多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料。本发明的制备方法简单,工艺参数易于控制,成本低廉,具有重要的应用价值和研究意义。
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本发明公开了一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法。采用射频掠射角磁控溅射技术,以氧化铟为靶材,将基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角控制在80°~90°,在硅基片表面沉积氧化铟薄膜,之后将试样置于马弗炉中在400~600℃条件下进行热处理。本发明制备的氧化铟气敏薄膜具有多孔柱状结构,能在150℃的较低温度下检测1ppm的二氧化氮气体,克服了传统粉末状气敏材料工作温度较高的缺点,同时本发明用于气体传感器领域可避免传统气敏粉末的二次转移过程,且与微电子工艺兼容、易于实现硅基集成、适用于工业大规模生产。
一种多孔气敏性纳米材料及其制备方法.pdf
本发明提供了一种多孔气敏性纳米材料及其制备方法。制备方法如下:(1)将抗坏血酸、双乙酸钠、脱氢乙酸钠、葡萄糖和蒸馏水混合搅拌溶解;(2)加热反应;(3)冷却,离心后用蒸馏水和无水乙醇洗涤;(4)烘干;(5)将干燥物与N,N‑二甲基甲酰胺混合分散;(6)将九水硝酸铁和N,N‑二甲基甲酰胺混合搅拌,滴加到上述分散液中;(7)超声后加入十二烷基羟丙基磷酸酯甜菜碱、纳米氧化锌、壳聚糖、水性丙烯酸树脂和乙酸,继续超声,静置陈化;(8)离心分离,用水和乙醇洗涤;(9)烘干;(10)放入马弗炉中煅烧即得。本发明的多孔气