掺氮晶体硅及其制备方法.pdf

本发明公开了一种掺氮多晶硅锭的制备方法，包括在石英坩埚中装入多晶硅与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉并装炉，将炉室抽真空-并加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，此后将炉内温度以1～10℃/min的降温速度逐渐降低至1350～1420℃，接着将所述炉室内温度自然冷却至室温，然后取出硅锭粉碎为小块状，得到母合金硅块；在石英坩埚中装入所述母合金硅块、多晶硅料以及电活性掺杂剂的混合料，将炉室抽真空并加热至1420～1550℃，得到熔融硅料混合物；和使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶

2023-06-20

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一种掺氮晶体硅及其制备方法.pdf

本发明公开了一种掺氮多晶硅锭的制备方法，包括在石英坩埚中装入多晶硅料与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉末以及电活性掺杂剂的混合物并装炉，将炉室抽真空后加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，得到熔融硅料混合物；接着使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶硅锭，其中所述电活性掺杂剂为B、P、或Ga的任一种，其加入量为使得所形成的多晶硅锭中的电活性掺杂剂浓度为0.02～2ppm的量，所述氮化硅纳米粉末的加入量为使得在所述多晶硅锭中的氮浓度为0.0002～1ppm的量。根据本发明的掺氮多晶

2023-06-20

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掺氮P型硅母合金及制备方法、掺氮多晶硅锭及制备方法.pdf

本发明提供了一种掺氮P型硅母合金及制备方法、掺氮多晶硅锭及制备方法，掺氮P型硅母合金的制备方法包括如下步骤：投料，将硅料及氮化硼投入铸锭炉内；多晶铸锭，在铸锭炉内依次通过抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却步骤生产掺氮P型硅母合金晶锭。将所述氮化硼与所述硅料混合后，采用多晶铸锭方法，在获得所需要电阻率母合金的同时将氮元素引入母合金中，进而在生产多晶硅锭时，将氮元素引入其中，可增加其机械强度，有效降低切片等过程的碎片率，大幅降低成本。另外，该方法使用多晶铸锭炉生产掺氮P型硅母合金，可增加母合金产量，降低生产

2023-06-16

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一种晶体硅及其制备方法.pdf

本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内，掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种；掺杂元素包括硼、镓和锑；多晶硅料中，镓、锑和硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1)；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使硅熔体开始长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，解决了晶体硅的电阻率分布较宽的问题，提高了晶体硅的收率；方便了头尾料的回

2023-06-18

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一种晶体硅的制备方法及晶体硅.pdf

本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到晶体硅铸锭炉或单晶炉的坩埚内；在保护气体存在下，加热使所述多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使所述硅熔体开始生长晶体，在生长晶体的过程中，当晶体的电阻率达到临界电阻率时，向坩埚内剩余的硅熔体中补加所述多晶硅料形成新的硅熔体，使晶体的电阻率被调控到目标电阻率，所述新的硅熔体继续长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到目标收率的晶体硅。本发明的方法可以解决现有技术中制得的晶体硅的电阻率偏低区域较多、电阻率分布不集中、晶体硅收率

2023-06-18

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