

成膜装置以及成膜方法.pdf
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相关资料
成膜装置以及成膜方法.pdf
本发明所要解决的技术问题是,实现材料利用效率以及作业率的提高,且防止以涂覆喷嘴的污染为起因的膜厚均匀性的降低。本发明中,成膜装置(1)中,具备:具有载置涂覆对象物(W)的载置面(2a)的台架(2)、使台架(2)在沿载置面(2a)的旋转方向旋转的旋转机构(3)、将材料排出到台架(2)上的涂覆对象物(W)上并进行涂覆的涂覆喷嘴(4)、使台架(2)和涂覆喷嘴(4)在与旋转方向相交的交差方向沿载置面(2a)相对移动的移动机构(5)、一面通过旋转机构(3)使载置了涂覆对象物(W)的台架(2)旋转,一面通过移动机构(
含硅膜的成膜方法以及成膜装置.pdf
本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中,向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜,该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环,所述第1成膜循环包括:第1硅吸附工序,在该第1硅吸附工序中,向所述基板供给含硅气体,使所述含硅气体吸附于所述凹坑内;硅蚀刻工序,在该硅蚀刻工序中,向所述基板供给蚀刻气体,对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻;以及第1含硅膜堆积工序,在该第1含硅膜堆积工序中,向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体,使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的
成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法.pdf
本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。使基板更可靠地吸附于吸附板。一种成膜装置,其特征在于,该成膜装置具备:腔室,其将内部保持为真空;吸附板,其设置于腔室的内部,具有产生用于吸附基板的静电力的电极;电压控制部件,其向电极施加第1电压和产生比施加第1电压的情况大的静电力的第2电压;以及检测部件,其检测基板向吸附板的吸附状态,在向电极施加第1电压而使吸附板吸附基板的状态下,在由检测部件检测到基板的一部分未吸附于吸附板的情况下,所述电压控制部件向电极施加第2电压。
成膜装置及成膜方法.pdf
本发明抑制在成膜装置中生长的膜中混入意料不到的杂质。本发明提供一种成膜装置,其通过向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面生长,该成膜装置具有:加热炉,其收容并加热所述基体;以及喷雾供给装置,其向所述加热炉供给所述溶液的所述喷雾。所述成膜装置中的暴露在所述喷雾中的部分的至少其中一部分由含有氮化硼的材料制成。
成膜方法及成膜装置.pdf
本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法,重复进行原料气体吸附工序和氮化工序,且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部,其中,所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤;所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。