含硅膜的成膜方法以及成膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106282966A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201610465904.0H01L21/02(2006.01)(22)申请日2016.06.23(30)优先权数据2015-1260362015.06.23JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人佐藤润菊地宏之村田昌弘三浦繁博(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇张会华(51)Int.Cl.C23C16/40(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/455(2006.01)权利要求书3页说明书13页附图11页(54)发明名称含硅膜的成膜方法以及成膜装置(57)摘要本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。CN106282966ACN106282966A权利要求书1/3页1.一种含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，且至少执行1次该第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向基板供给含硅气体，使含硅气体吸附在形成于所述基板的表面的凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，使含硅膜堆积于所述凹坑内。2.根据权利要求1所述的含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法还包含第2成膜循环，所述第2成膜循环包括：第2硅吸附工序，在该第2硅吸附工序中，向所述基板供给第2含硅气体，使所述第2含硅气体吸附于所述凹坑内；第2含硅膜堆积工序，在该第2含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的所述反应气体，使所述反应气体与吸附于所述凹坑内的所述第2含硅气体反应而生成第2反应生成物，使第2含硅膜堆积于所述凹坑内，所述第2含硅气体是与所述含硅气体相同的气体，所述第2反应生成物以及所述第2含硅膜分别与所述反应生成物以及所述含硅膜相同。3.根据权利要求2所述的含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法包含连续地重复所述第1成膜循环的连续序列。4.根据权利要求3所述的含硅膜的成膜方法，其中，重复规定次数的所述第2成膜循环而在所述凹坑内堆积规定膜厚的所述含硅膜，之后，进行所述连续序列直到所述凹坑内被所述含硅膜填充。5.根据权利要求2所述的含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法包含如下周期的序列：每重复规定次数的所述第2成膜循环，就进行1次所述第1成膜循环。6.根据权利要求5所述的含硅膜的成膜方法，其中，重复规定次数的所述第2成膜循环而在所述凹坑内堆积规定膜厚的所述含硅膜，之后，重复所述周期的序列直到所述凹坑内被所述含硅膜填充。7.根据权利要求2所述的含硅膜的成膜方法，其中，在所述第1成膜循环中的所述第1硅吸附工序和所述硅蚀刻工序之间，设有向所述基板供给吹扫气体的工序。8.根据权利要求7所述的含硅膜的成膜方法，其中，在所述第1成膜循环中的所述硅蚀刻工序和所述第1含硅膜堆积工序之间，还设有向所述基板供给所述吹扫气体的工序。9.根据权利要求2所述的含硅膜的成膜方法，其中，在所述第2成膜循环中的所述第2硅吸附工序和所述第2含硅膜堆积工序之间，设有向所述基板供给吹扫气体的工序。2CN106282966A权利要求书2/3页10.根据权利要求8所述的含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法还具有将所述基板沿周向载置于处理室内的旋转台上的工序，在比所述旋转台靠上方的位置，沿所述周向配置有含硅气体供给部、蚀刻气体供给部以及反应气体供给部，在利用所述含硅气体供给部供给了所述含硅气体、利用所述蚀刻气体供给部供给了所述蚀刻气体、利用所述反应气体供给部供给了所述反应气体的状态下使所述旋转台旋转，使所述基板依次通过所述含硅气体供给部的下方、所述蚀刻气体供给部的下方以及所述反应气体供给部的下方，由此，进行所述